DE102007004844B4 - Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, bei welchem ein Bauelement mit einem Material umgeben wird, und auf eine Oberfläche des Materials eine fluorpolymerhaltige Verbindung bei Raumtemperatur durch eine Gasphasen-Abscheidung aufgebracht wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und ein Bauteil.
  • Bei der Montage integrierter Schaltkreise hat die halbleiterverarbeitende Industrie seit einiger Zeit von der Durchstecktechnologie auf die Oberflächenmontage umgestellt. Während bei der Durchstecktechnologie nur die Anschlussbeinchen erhitzt wurden, wird bei den oberflächenmontierten Bauteilen das gesamte Gehäuse erwärmt. Mit dieser neuen Technologie entstanden jedoch auch neue Fehlermechanismen, die durch das Zusammenwirken der aus der Umgebung aufgenommenen Feuchtigkeit und der Temperaturerhöhung verursacht werden.
  • Die bei dem Verkapseln der integrierten Schaltkreise verwendeten Kunststoffe nehmen ein gewisses Maß an Feuchtigkeit aus der Umgebung auf (bis maximal 0,5 Gew.-%). Diese Feuchtigkeit lagert sich vorwiegend an den Grenzflächen zwischen der Vergussmasse und peripheren Strukturen der integrierten Schaltungen an. Aufgrund der raschen Temperaturerhöhung beim Lötvorgang verdampft diese Feuchtigkeit. Die dadurch verursachte Volumenvergrößerung kann zu Rissen im Kunststoff bzw. zu Delaminationen an internen Grenzflächen führen. Dieses Phänomen wird Popcorn-Effekt genannt. Der Grad der Schädigung der Bauteile durch den Popcorn-Effekt ist dabei direkt proportional zu der Feuchte-Konzentration, die über die Vergussmasse aus der Umgebung absorbiert wird. Die Feuchtigkeit verursacht darüber hinaus noch weitere Schädigungen wie Korrosion, Zersetzung und dergleichen.
  • Zur Vermeidung der durch Feuchtigkeit verursachten Schädigungen können beispielsweise Verguss- oder Verkapselungsmassen mit hohem Füllstoffgehalt oder andere spezielle Verkapselungsmassen eingesetzt werden, bei welchen die absolute Feuchteaufnahme der Bauteile reduziert wird. Des Weiteren können die Bauteile trocken verpackt und angeliefert werden, wobei sie anschließend durch den Kunden innerhalb eines vorgegebenen Zeitraums auf die Platine gelötet werden müssen. Dieser Zeitraum wird durch den sogenannten Moisture-Sensitivity-Test (MST) ermittelt, durch den die Bauteile in feuchtsensitive Klassen eingeteilt werden. Die Klasseneinteilung enthält einen Hinweis auf den Zeitraum, in der das Bauteil nach dem Öffnen der Trockenverpackung oder nach dem Ausbacken verlötet werden muss, um die genannten Schädigungen wie Rissbildungen oder Delaminationen oder dergleichen zu vermeiden.
  • Die Druckschrift US 5,147,822 A beschreibt ein Plasmabeschichtungsverfahren, mit welchem die Oberfläche eines aus einem organischen Harzmaterial bestehenden Halbleiter-Package mit einer Schutzschicht beschichtet werden kann. Als Schutzschicht wird beispielshalber eine Siliziumnitrid-Schicht oder eine DLC-(diamond-like-carbon, diamantartige Kohlenstoff-) Schicht genannt.
  • Die Druckschrift DE 101 06 779 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Fluorpolymer-Folien zur Antihaftmodifizierung von Oberflächen, wobei ein Fluorpolymer zur Anwendung kommt, welches thermoplastische Eigenschaften hat und durch Wasseraufnahme an der Luft zu einem duroplastischen Polymer vernetzt.
  • Die Druckschrift JP 62-283133 A beschreibt ein Plasmabeschichtungsverfahren, mit welchem ein mit einem Harz behandeltes Textilerzeugnis mit einer Fluoridverbindung beschichtet wird.
  • Es ist demgemäß Aufgabe der vorliegenden Erfindung, das Problem der durch Feuchtigkeit hervorgerufenen Schädigungen der verkapselten Bauteile mit einem geringeren Aufwand lösen zu können.
  • Diese Aufgabe wird durch Verfahren gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 1 und 6 sowie Bauteilen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen 8 und 14 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung wird nachfolgend in beispielhafter Weise unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. In diesen zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels für ein Bauteil;
  • 2 eine schematische Darstellung eines nicht zur Erfindung gehörigen Ausführungsbeispiels für eine Vorrichtung;
  • 3 eine schematische Darstellung eines Bauteils während eines Verfahrens zu seiner Herstellung; und
  • 4 eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bauteils nach Fertigstellung des Verfahrens.
  • Im Folgenden werden Bauteile, die Bauelemente umfassen, sowie Verfahren zur Herstellung der Bauteile beschrieben. Die Erfindung ist dabei unabhängig von der Art der Bauelemente. Bauelemente können jede Art von Elementen sein. Insbesondere können die Bauelemente elektrische, elektromechanische und/oder elektrooptische Bauelemente sein, z. B. integrierte Schaltungen, Sensoren, mikro-elektromechanische Bauelemente (MEMS) oder Laserdioden und dergleichen. Die Bauelemente können auf Halbleiterbasis hergestellt sein, also als Halbleiter-Bauelemente gegeben sein.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird das Bauelement mit einem Material umgeben. Das Material kann beispielsweise ein Harz wie Epoxydharz oder dergleichen enthalten oder daraus bestehen. Das Material kann auch eine andere Zusammensetzung aufweisen. Das Material kann, allgemein gesagt, jede denkbare Zusammensetzung aufweisen, durch die eine Verguss- oder Verkapselungsmasse gebildet werden kann, mit der das Bauelement umgeben werden kann.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird das Bauelement mit dem Material umgeben. Dabei kann vorgesehen sein, dass das Bauelement vollständig oder teilweise mit dem Material umgeben wird. Das Bauelement kann also entweder mit seiner gesamten Oberfläche oder nur auf einem Teil seiner Oberfläche von dem Material bedeckt bzw. von diesem umgeben sein.
  • Gemäß einer nicht zur Erfindung gehörigen Ausgestaltung wird ein Formstück aus einem Material hergestellt. Das Material kann beispielsweise ein Harz wie Epoxydharz oder dergleichen enthalten oder daraus bestehen. Das Material kann jedoch auch eine andere Zusammensetzung aufweisen.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird die fluorpolymerhaltige Verbindung durch eine Gasphasen-Abscheidung auf eine Oberfläche des Materials aufgebracht. Eine Gasphasen-Abscheidung kann dabei jedes Verfahren umfassen, bei welchem die fluorpolymerhaltige Verbindung aus einer gasförmigen Phase auf die Oberfläche des Materials abgeschieden wird. Dazu zählen auch jegliche Arten von CVD-Gasabscheideverfahren (chemical vapor deposition). Insbesondere kann vorgesehen sein, dass in der gasförmigen Phase ein Plasma enthalten ist. Das Abscheidungsverfahren kann demnach auch durch ein plasmagestütztes CVD-Verfahren gegeben sein.
  • Gemäß einer Ausgestaltung wird auf eine Oberfläche des Materials oder auf eine Oberfläche des Materials eines Formstücks eine fluorpolymerhaltige Verbindung aufgebracht. Fluorpolymerhaltige Verbindungen können dabei sämtliche denkbaren fluorhaltigen Polymerverbindungen sein. Es kann sich dabei also sowohl um fluorhaltige Polymere mit ausschließlich Kohlenstoff-Atomen in der Hauptkette als auch um solche fluorhaltigen Polymere mit Hetero-Atomen in der Hauptkette handeln.
  • In der 1 ist ein Ausführungsbeispiel für ein Bauteil schematisch im Querschnitt dargestellt. Das Bauteil 10 umfasst ein Bauelement 1, welches von einem Material 2 umgeben ist. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Bauelement 1 nicht an allen Seiten von dem Material 2 umgeben, da die untere Oberfläche des Bauelements 1 nicht von dem Material 2 bedeckt ist. Es kann beispielsweise vorgesehen sein, dass das Bauelement 1 mit seiner unteren Oberfläche auf einem Substrat wie einem PCB-Board, einem Leadframe oder dergleichen montiert ist.
  • Das Bauelement 1 kann durch ein Halbleiter-Bauelement wie einen integrierten Schaltkreis oder dergleichen gegeben sein. Das Bauelement 1 soll durch das Material 2 umgeben und dadurch gegen äußere Einflüsse wie beispielsweise das Eindringen von Feuchtigkeit geschützt werden. Das Material 2 kann eine Zusammensetzung auf Epoxydharz-Basis aufweisen.
  • Auf einer Oberfläche des Materials 2 ist eine fluorpolymerhaltige Verbindung 3 aufgebracht, wie es in der 1 schematisch angedeutet ist. Es kann dabei vorgesehen sein, dass die fluorpolymerhaltige Verbindung 3 nur auf einen bestimmten Oberflächenabschnitt abgeschieden wird, wie ebenfalls in der 1 angedeutet ist. Es kann jedoch die fluorpolymerhaltige Verbindung 3 auch auf sämtlichen äußeren Oberflächen des Materials 2 abgeschieden werden. Die aufgebrachte fluorpolymerhaltige Verbindung weist eine stark hydrophobe Wirkung auf, d. h. sie wirkt als effiziente Diffusionssperre gegen Wasserdampf. Durch die fluorpolymerhaltige Verbindung kann somit die Feuchteaufnahme des Bauelements bei Feuchtelagerung extrem reduziert werden und somit die Zuverlässigkeit des Bauelements 1 auch unter Bedingungen hoher Feuchtigkeit während der Herstellung stark erhöht werden. Durch die fluorpolymerhaltige Verbindung kann auch die Lagerzeit des Bauelements erhöht werden und es können weniger aufwendige Verpackungs- und Transportbedingungen gewählt werden. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass durch die fluorpolymerhaltige Verbindung 3 das Material 2 vor organischen Lösungsmitteln geschützt werden kann.
  • Die fluorpolymerhaltige Verbindung 3 wird beispielsweise als eine Schicht auf die Oberfläche des Materials 2 aufgebracht. Diese Schicht kann beispielsweise bei Raumtemperatur aufgebracht werden, sodass keine zusätzliche thermische Belastung für das Bauelement 1 entsteht. Die fluorpolymerhaltige Verbindung 3 kann beispielsweise durch Gasphasen-Abscheidung, insbesondere durch plasmagestützte Gasphasen-Abscheidung wie ein plasmagestütztes CVD-Verfahren aufgebracht werden.
  • In der 2 ist ein nicht zur Erfindung gehöriges Ausführungsbeispiel für eine Vorrichtung im Querschnitt schematisch dargestellt. Die Vorrichtung 20 umfasst ein Formstück 22 aus einem Material und eine fluorpolymerhaltige Verbindung 3, welche auf einer Oberfläche des Formstücks 22 durch eine Gasphasen-Abscheidung aufgebracht ist. Das Material des Formstücks 22 kann ein Epoxydharz enthalten oder daraus bestehen. Die fluorpolymerhaltige Verbindung 3 kann wie bei dem Bauteil 10 der 1 auf einem Abschnitt der Oberfläche des Formstücks 22 oder auf der gesamten Oberfläche des Formstücks 22 aufgebracht sein.
  • In den 3 und 4 sind anhand eines weiteren Ausführungsbeispiels zwei Verfahrensstadien bei der Herstellung eines Bauteils anhand schematischer Darstellungen des Bauteils im Querschnitt dargestellt. In der 4 ist das fertiggestellte Bauteil 10 dargestellt, während in der 3 eine Situation während des Aufbringens der fluorpolymerhaltigen Verbindung durch eine Gasphasen-Abscheidung gezeigt ist.
  • Ein Bauelement 1 wie beispielsweise ein Halbleiter-Bauelement 1 ist auf einem Leadframe 100 montiert. Das Bauelement 1 wird mit einem Material 2 umgeben, welches beispielsweise ein Epoxydharz sein kann. Unmittelbar nach der Verkapselung des Bauelements 1 mit dem Material 2 wird durch eine Gasphasen-Abscheidung eine dünne Schicht 3 enthaltend eine fluorpolymerhaltige Verbindung auf die äußeren Oberflächen des Materials 2 aufgebracht. Die dünne Schicht 3 kann beispielsweise aus einem Fluorkohlenstoff- oder Fluorkohlenwasserstoff-Polymer bestehen. Die dünne Schicht 3 zeichnet sich dadurch aus, dass sie sich stabil mit dem Material 2, im Falle eines Epoxydharzes also mit dem Polymer des Epoxydharzes, verbindet. Die fluorpolymerhaltige Verbindung zeichnet sich ferner dadurch aus, dass sie die Metalloberflächen des Leadframes 100 und der durch Biegeschritte daraus gebildeten Anschlussbeinchen nur schwach angreift bzw. anätzt. Eventuell auf freiliegenden metallischen Oberflächen wie den Anschlussbeinchen oder der unverkapselten Rückseite der Chipinsel abgeschiedene polymere Schichten der fluorpolymerhaltigen Verbindung können aufgrund ihrer bekannt schlechten Haftung auf Metallen in anschließenden Prozessen zur Beseitigung von dünnen Verkapselungsmassen-Rückständen („de-flashing”) oder dem Aufbringen der Lotbeschichtung („solder plating”) inklusive der vorherigen Oberflächen-Aktivierung, leicht beseitigt werden.
  • In dem Ausführungsbeispiel der 3 ist gezeigt, wie das mit dem Material 2 umgebene Bauelement 1 mit einem CF4/CHF3-Gasgemisch in einer Plasmakammer (nicht dargestellt) behandelt wird. Dadurch bildet sich durch Oberflächenreaktionen zwischen den erzeugten Gasradikalen und der Oberfläche des Materials 2 zum einen sowie zwischen den erzeugten reaktiven Molekülfragmenten untereinander (Plasma-Polymerisation) eine stabile Fluorpolymer-Schicht 3 auf der Oberfläche des Materials 2 aus. Diese Schicht 3 weist mit einer Wasserdampf-Durchlässigkeit von 0,03 g/m2 pro 24 Stunden (bei 20°C und 85% relativer Luftfeuchtigkeit) eine etwa 1000-fach niedrigere Durchlässigkeit gegenüber Wasserdampf auf als ungefüllte Epoxydharze, welche ca. 30 g/m2 pro 24 Stunden (bei 20°C und 85% relativer Luftfeuchtigkeit) aufweisen. Bei hochgefüllten Epoxydharz-Pressmassen kann dieser Wert jedoch um etwa eine Größenordnung niedriger liegen.
  • Vorzugsweise beträgt bei dem Ausführungsbeispiel der 3 der Anteil des CF4 im Gasgemisch nicht mehr als 45%, damit es zur Polymerisation des Gasgemisches kommt. Noch bevorzugter ist es, wenn der Anteil des CF9 im CF9/CHF3-Gasgemisch unterhalb von 20% liegt, um gute Abscheideraten (> 20 nm/min) zu realisieren. Die Prozessdrücke sollten bei Gasflussraten von einigen 10 ccm vorzugsweise nicht unter 0,1 Torr betragen, während die Leistungswerte der zur Plasmaerzeugung eingesetzten Hochfrequenzgeneratoren vorzugsweise zwischen 100 und 1000 Watt liegen sollten. Als Alternative zu CHF3 in dem CF9/CHF3-Gasgemische können auch andere Fluorkohlenwasserstoffgase wie z. B. C2H2F9 oder CH2F2 eingesetzt werden.
  • Das Material 2 kann wie bereits erwähnt ein Epoxydharz sein oder auf Epoxydharz-Basis hergestellt sein. Die Aufbringung der fluorpolymerhaltigen Verbindung 3 auf der Oberfläche des Materials 2 erlaubt auch den Einsatz von relativ kostengünstigen Epoxydharzen, die relativ ungünstige Eigenschaften hinsichtlich der Feuchtigkeitsaufnahme haben können. Diese sind z. B. Epoxydharz-Systeme auf Orthokresolnovolak-Basis (OCN-Epoxyde) und/oder relativ gering mit Quarzmehl gefüllte. Epoxydharz-Verkapselungsmassen (< 80 Gew.-% SiO2-Füllstoff). Es ist des Weiteren auch nicht mehr erforderlich, dem Material 2 spezielle Additive zur Absorption von Feuchte zuzuführen bzw. es können weniger stark feuchtresistente und damit zumeist kostengünstigere Additive verwendet werden.

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, bei welchem ein Bauelement mit einem Material umgeben wird, und auf eine Oberfläche des Materials eine fluorpolymerhaltige Verbindung bei Raumtemperatur durch eine Gasphasen-Abscheidung aufgebracht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die fluorpolymerhaltige Verbindung durch eine plasmagestützte Gasphasen-Abscheidung aufgebracht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem die fluorpolymerhaltige Verbindung aufgebracht wird, indem das von dem Material umgebene Bauelement mit einem CF4/CHF3-Gasgemisch behandelt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei welchem der Anteil des CF4 im Gasgemisch kleiner als 45%, insbesondere kleiner als 40%, insbesondere kleiner als 35%, insbesondere kleiner als 30%, insbesondere kleiner als 25%, insbesondere kleiner als 20% beträgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, bei welchem anstelle von CHF3 ein anderes Fluorkohlenwasserstoffgas, insbesondere C2H2F4 oder CH2F2, eingesetzt wird.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, bei welchem ein Bauelement mit einem Material umgeben wird, und auf eine Oberfläche des Materials eine fluorpolymerhaltige Verbindung in Form einer Schicht aufgebracht wird, wobei die Schicht vor dem Aufbringen auf das Material in selbständig handhabbarer Form auf eine Oberfläche des Materials aufgelegt und durch äußere Einwirkung in Form von Druck, Temperatur, Laserstrahlung, oder Ultraschall-Strahlung, mit dem Material verbunden wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, bei welchem die fluorpolymerhaltige Verbindung bei Raumtemperatur aufgebracht wird.
  8. Bauteil, mit einem Bauelement (1), welches von einem Material (2) umgeben ist, und einer fluorpolymerhaltigen Verbindung (3), welche auf einer Oberfläche des Materials (2) bei Raumtemperatur durch eine Gasphasenabscheidung aufgebracht ist.
  9. Bauteil nach Anspruch 8, bei welchem das Material (2) ein Harz, insbesondere ein Epoxydharz, enthält oder aus diesem besteht.
  10. Bauteil nach Anspruch 8 oder 9, bei welchem die fluorpolymerhaltige Verbindung (3) durch eine plasmagestützte Gasphasen-Abscheidung aufgebracht ist.
  11. Bauteil nach einem der Ansprüche 8 oder 10, bei welchem die fluorpolymerhaltige Verbindung (3) dadurch aufgebracht ist, dass das von dem Material (2) umgebene Bauelement (1) mit einem CF4/CHF3-Gasgemisch behandelt wird.
  12. Bauteil nach Anspruch 11, bei welchem der Anteil des CF4 im Gasgemisch kleiner als 45%, insbesondere kleiner als 40%, insbesondere kleiner als 35%, insbesondere kleiner als 30%, insbesondere kleiner als 25%, insbesondere kleiner als 20% beträgt.
  13. Bauteil nach Anspruch 11 oder 12, bei welchem anstelle von CHF3 ein anderes Fluorkohlenwasserstoffgas, insbesondere C2H2F4 oder CH2F2, eingesetzt wird.
  14. Bauteil, mit einem Bauelement (1), welches von einem Material (2) umgeben ist, und einer fluorpolymerhaltigen Verbindung (3), welche auf einer Oberfläche des Materials (2) in Form einer Schicht aufgebracht ist, wobei die Schicht dadurch hergestellt ist, dass sie in selbständig handhabbarer Form bereitgestellt, auf eine Oberfläche des Materials (2) aufgelegt und durch äußere Einwirkung in Form von Druck, Temperatur, Laserstrahlung, oder Ultraschall-Strahlung, mit dem Material verbunden wird.
  15. Bauteil nach Anspruch 14, bei welchem das Material (2) ein Harz, insbesondere ein Epoxydharz, enthält oder aus diesem besteht.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007004844B4 (de) 2007-01-31 2011-05-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil
CN105593948B (zh) * 2013-10-07 2019-07-19 Abb瑞士股份有限公司 产生、分配和/或使用电能的装置及用于这种装置的构件
US9220183B1 (en) * 2014-07-16 2015-12-22 International Business Machines Corporation Devices employing semiconductor die having hydrophobic coatings, and related cooling methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62283133A (ja) * 1986-05-30 1987-12-09 Unitika Ltd 塩化ビニル系樹脂加工布の防汚処理方法
US5147822A (en) * 1988-08-26 1992-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device
DE10106779A1 (de) * 2001-02-12 2002-08-22 Nanogate Gmbh Duroplastisch aushärtendes, thermoplastisches Fluorpolymer

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0670121B2 (ja) 1986-07-28 1994-09-07 住友ベ−クライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
US6756670B1 (en) * 1988-08-26 2004-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and its manufacturing method
US5357005A (en) 1991-12-11 1994-10-18 International Business Machines Corporation Reactive surface functionalization
JP3015717B2 (ja) * 1994-09-14 2000-03-06 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US6825132B1 (en) * 1996-02-29 2004-11-30 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including an insulation film on a conductive layer
KR100205318B1 (ko) * 1996-10-11 1999-07-01 구본준 자유전율의 절연막 제조방법
US6211096B1 (en) * 1997-03-21 2001-04-03 Lsi Logic Corporation Tunable dielectric constant oxide and method of manufacture
US5888850A (en) * 1997-09-29 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method for providing a protective coating and electronic package utilizing same
EP1084030A4 (de) 1998-04-07 2002-05-29 Seydel Res Inc Wasserdispergierbare/redispergierbare hydrophobe polyesterharze und ihre verwendung in überzugsmitteln
JP2000040711A (ja) 1998-07-23 2000-02-08 Sony Corp 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
US6399478B2 (en) * 2000-02-22 2002-06-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of making a dual damascene structure with modified insulation
US6521546B1 (en) * 2000-06-14 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Method of making a fluoro-organosilicate layer
FR2812664B1 (fr) * 2000-08-01 2002-11-08 Essilor Int Procede de depot d'une couche de silice dopee au fluor et son application en optique ophtalmique
ATE306354T1 (de) 2000-09-07 2005-10-15 Infineon Technologies Ag Lotmittel zur verwendung bei diffusionslotprozessen
KR100394080B1 (ko) 2001-03-20 2003-08-06 광주과학기술원 표면 개질된 실리카와 그 제조방법 및 장치
US6707093B2 (en) * 2001-11-30 2004-03-16 Stmicroelectronics, Inc. Selective ionic implantation of fluoropolymer film to modify the sensitivity of underlying sensing capacitors
JP4182467B2 (ja) * 2001-12-27 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 回路基板、電気光学装置及び電子機器
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
DE102007004844B4 (de) 2007-01-31 2011-05-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62283133A (ja) * 1986-05-30 1987-12-09 Unitika Ltd 塩化ビニル系樹脂加工布の防汚処理方法
US5147822A (en) * 1988-08-26 1992-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device
DE10106779A1 (de) * 2001-02-12 2002-08-22 Nanogate Gmbh Duroplastisch aushärtendes, thermoplastisches Fluorpolymer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 62283133 A: World Patents Index [online], WPI, In: EPOQUE, Accession No. 1988-023930 *
JP 62283133 AA: World Patents Index [online], WPI, In: EPOQUE, Accession No. 1988-023930

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