WO2017121704A1 - Device for providing a process gas in a coating device - Google Patents

Device for providing a process gas in a coating device Download PDF

Info

Publication number
WO2017121704A1
WO2017121704A1 PCT/EP2017/050362 EP2017050362W WO2017121704A1 WO 2017121704 A1 WO2017121704 A1 WO 2017121704A1 EP 2017050362 W EP2017050362 W EP 2017050362W WO 2017121704 A1 WO2017121704 A1 WO 2017121704A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
housing
outlet channel
barrier
gas outlet
Prior art date
Application number
PCT/EP2017/050362
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Birgit Irmgard Beccard
Andreas Poqué
Jörg Meyer
Original Assignee
Aixtron Se
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Se filed Critical Aixtron Se
Priority to KR1020187023579A priority Critical patent/KR20180102168A/en
Priority to CN201780013619.8A priority patent/CN108699689B/en
Publication of WO2017121704A1 publication Critical patent/WO2017121704A1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber

Definitions

  • the invention relates to a device for providing a process gas in a coating device, which has an evaporation device for liquid or solid starting materials, which is arranged in a source housing.
  • a liquid or solid aerosol particle-containing aerosol is fed into the source housing.
  • the aerosol particles are evaporated there.
  • the vapor exits the source housing through a gas exit channel.
  • a transport line the vapor formed by the evaporation device is fed into a process chamber in which there is a gas outlet member, through which the vapor exits, in order to condense on a substrate arranged in the process chamber, in particular on a cooled susceptor.
  • WO 2012/175128 Al describes an evaporation device, which has two successively arranged heat transfer body in the flow direction of an aerosol.
  • the two heat transfer bodies are formed by electrically conductive solid-state foams, which are heated by passing an electric current.
  • Similar devices describe WO 2012/175124 AI, WO 2010/175126 AI, DE 10 2011 051 261 AI or DE 10 2011 051 260 AI.
  • OLED light emitting diodes
  • a device for depositing OLEDs describes the DE 10 2014 115 497 AI. Described there is a device for providing a process gas in a coating device, in which a liquid or solid starting material is evaporated by an evaporation device. The transported by a carrier gas vapor is passed through a first
  • a second gas supply line opens into the transport line to the outlet of a second gas stream, with which the first, the steam-containing gas stream is diluted.
  • DE 10 2014 109 109 describes an apparatus for producing a vapor from a solid or liquid starting material for a CVD or PVD device, in which a first gas stream is fed by means of first feed lines in a source housing.
  • the first gas supply line is formed by tubes whose open ends open in a heat transfer body. Downstream of this heat transfer body are other heat transfer bodies, which are each heated by passing electrical current.
  • US 2010/0206231 A1, US 2010/0012036 A1, JP 0800823 A and EP 2 819 150 A2 describe labyrinth-type seals or back-diffusion barriers, which are arranged downstream of a process chamber of a CVD reactor within a gas discharge, around a To avoid back diffusion into the process chamber. Summary of the invention
  • the invention has for its object to further develop a device for providing a process gas nutzsvorteilhaft.
  • a device for providing a process gas in a coating device with a housing and a source housing containing an evaporation device for liquid or solid starting materials, with a first gas supply line into the source housing Generating a first gas flow through the source housing, having a first gas outlet channel for the exit of the first gas stream from the source housing in a transport line, with a second gas supply into the housing for generating a second gas flow through the housing outside the source housing and with a second gas outlet channel to the outlet of second gas stream from the housing in the transport line, which surrounds the first gas outlet channel and in which a back diffusion barrier is arranged.
  • the dependent claims represent not only advantageous developments of such a device, but also independent solutions to this problem.
  • the source housing in the region of the second gas outlet channel, can slightly shift relative to the housing accommodating it, which is associated with a change in the distance between two opposite walls of the second gas outlet channel.
  • the back diffusion barrier allows such a relative displacement.
  • the return diffusion barrier consists of several barrier elements.
  • a first barrier element can be attached to the source housing.
  • a second barrier member may be attached to the device housing surrounding the source housing.
  • a wall of the second gas outlet channel is formed by a component of the source housing and a further wall of the second gas outlet channel of a component of the device housing.
  • the second gas outlet channel has a ring shape, wherein the radially inner channel wall from the source housing and the radially outer channel wall are formed by the device housing.
  • a first, attached to the source housing barrier element has a free edge, with which it is spaced from the opposite wall of the second gas outlet channel.
  • a second barrier member is secured to the device housing and has a free edge spaced from the opposite wall of the gas exit channel.
  • the two barrier elements can shift relative to each other. It is envisaged that the two barrier elements touch each other in a sealing manner. They can slide along contact surfaces with a shearing action. At least one of the barrier elements can be gas-permeable.
  • the gas-permeable barrier element may have a multiplicity of gas passage openings.
  • the gas barrier elements may be formed by annular disc-shaped bodies.
  • a first barrier member connected to the source housing has a radially inner edge, which is a fixed edge to which it is attached to the source housing, and a radially outer edge, which is a free one Edge acts.
  • a second barrier member has a radially outer edge which is a solid edge to which the barrier member is attached to the device housing. It has a free edge which is spaced from the opposite wall of the second gas outlet channel.
  • the gas impermeable barrier element may be attached to the device housing.
  • the two gas outlet openings having barrier elements may be attached to the source housing. But it is also a reverse assignment possible.
  • the barrier elements can be flat, annular bodies, which lie alternately touching one another in the flow direction of the second gas flow. Such barrier elements are mounted alternately on opposite walls of the second gas outlet channel, preferably alternately on the source housing or on the device housing.
  • the source housing can move relative to the device housing in the plane in which the barrier elements can move against each other. Such movement may be caused by thermal expansion during heating of the evaporator.
  • the gas outlet openings are designed and arranged such that they are not closed to one another in the case of a relative displacement of the barrier elements.
  • the distance of the gas passage openings of a gas-permeable barrier element from the free edge of the barrier element is greater than the distance of the free edge to the fixed edge of a gas-impermeable barrier element.
  • the sum of the distance of the free edge to the fixed edge of a gas-impermeable barrier element and the distance of the free edge of the gas-permeable barrier element from its fixed edge is greater than the maximum distance between the two, the barrier elements holding walls of the second gas outlet channel.
  • the source housing may have a lower end face to which a barrier element is attached. This lower end surrounds the opening of the first gas outlet channel, through which a first gas flow, which includes the steam, emerges. This opening or the end edge is formed by a substantially rohrf örmigen portion of the source housing.
  • the radial inner wall of the tubular section forms a wall of the first gas outlet channel.
  • the radially outwardly facing wall of the rohrf örmigen section forms a wall of the second gas outlet channel.
  • In the flow direction downstream of the mouth of the first gas outlet channel is a gap space which surrounds a transport line annular. The gas passage openings of the diffusion barrier open into this gap.
  • the device thus has a first housing, in which a gas passage opening is arranged and which may have a higher temperature than a second housing, which surrounds the first housing and which is flowed through by a purge gas, which flows in a transport line with the first housing through which flows Gas flow mixes, for which purpose a back diffusion barrier is provided to prevent back diffusion from the transport line into the volume of the second housing surrounding the first housing, through which the purge gas stream forming a second gas stream must pass. Gas passage openings of the back diffusion barrier lead to locally increased flow velocities.
  • the evaporation device has a heat transfer body which has an opening in which a supply pipe is inserted. The mouth of the supply pipe is located in an upstream area of a second heat transfer body.
  • the device has three rings, of which at least two rings on a circular arc line evenly distributed holes, which form gas passage openings. The rings are arranged one above the other and alternately centered outside and inside.
  • the uniform arrangement of the gas passage opening forms a uniform flow distribution.
  • the device is used for evaporating liquid or powdery materials and consists of an evaporation unit, which is arranged in a first housing.
  • a second housing encapsulates the first housing and has housing walls spaced from the walls of the first housing to form a cavity surrounding the first housing.
  • the first housing has one
  • Gas outlet channel for the exit of the first gas stream containing the vapor.
  • This gas outlet channel forms a collection zone in which collects the vapor formed and through which the vaporized material is passed to an interface to which the second gas stream is fed. With the second gas flow, the interface is purged such that no backflow of the vapor into the cavity of the second housing can take place surrounding the first housing.
  • the back diffusion barrier is designed such that a temperature change in the region of the first housing does not lead to a change in the gas flow into the interface.
  • a device for the gas flow control is provided. For this purpose, mass flow controllers or the like can be used. be used.
  • the barrier elements formed by ring elements can lie positively against each other.
  • Fig. 6 is a representation according to Figure 2, but with an eccentric offset
  • Fig. 7 is a view according to Figure 3 with the eccentric offset. Description of the embodiments
  • the device shown in the drawings is a vapor source for use in a CVD or PVD device, as described in DE 10 2014 109 196 or as a system component. is used in a CVD or PVD device, as described in DE 10 2014 115 497.
  • the device has a substantially about a center line Z rotationally symmetrical arrangement of two housings 1, 2.
  • a first housing forms a source housing 2, which is surrounded by a device housing, which forms a second housing 1.
  • a cavity Between the inner wall of the housing 1 and the outer wall of the source housing 2 arranged in the housing 1 there is a cavity.
  • Within the source housing 2 is also a cavity.
  • the source housing 2 is fixed to a cover 18 of the housing 1, which can be fixedly connected to the cylindrical side wall of the housing 1 or the cylindrical side wall of the source housing 2.
  • first gas supply lines 4 protrude into the cavity of the source housing 2.
  • the source housing 2 there are three evaporation devices 3, 3 ', 3 ", arranged one behind the other in the direction of flow, which are heatable by passing an electric current and which consist of an open-pore foam body of the source housing 2 completely.
  • the first gas supply lines 4 a liquid or solid organic particles exhibiting aerosol is fed by means of a carrier gas stream.
  • the aerosol enters one of the evaporation devices 3, 3 ', 3 "from openings of the first gas feed line 4, where the aerosol particles are evaporated by absorbing heat.
  • the evaporation device 3, 3', 3" is heated to an elevated temperature T 1.
  • the first gas flow 5 enters a first gas outlet channel 6, which has a circular disk-shaped cross-section and which is formed by a mouth section of the source housing 2, which has a tubular shape.
  • the mouth portion forms an end face 19, which surrounds an outlet opening of the first gas outlet channel 6.
  • the end face 19 is located opposite a step 20 which is formed by a wall portion of the housing 1.
  • the stage 20 is followed by a transport line 7 which directs the first gas stream 5 to a process chamber of a CVD or a PVD device, in which an OLED layer is deposited on substrates resting on a susceptor.
  • a transport pipe system is on the DE
  • cover 18 are located opposite the first gas supply lines 4 radially outwardly offset second gas supply lines 8 through which a carrier or purge gas in the source housing 2 surrounding cavity of the housing 1 can be fed, so that a second gas stream 9 is formed, the flows past the source housing 2.
  • the second gas stream 9 flows through an annular cavity, the cross-section decreases in the downstream direction and there forms a second gas outlet channel 10.
  • An inner wall of the second gas outlet channel 10 is formed by the tubular end portion of the source housing 2.
  • the tubular end portion thus forms with its inner side a wall of the first gas outlet channel 6 and with its outer side a wall of the second gas outlet channel 10th out.
  • the second gas outlet channel 10 surrounds the first gas outlet channel 6 annular.
  • a second wall of the second gas outlet channel 10 is formed by a portion of the housing 1.
  • the second gas outlet channel 10 opens into a gap 17 which annularly surrounds the mouth openings of the first gas outlet channel 6 and the transport line 7. It extends between the front side 19 and the step 20.
  • a diffusion barrier 11 is provided at the interface between the second gas outlet channel 10 and the first gas outlet channel 6. It prevents the back diffusion of organic vapor into the cavity surrounding the source housing 2, the walls of which are maintained at a temperature T2 lower than the condensation temperature of the vapor which might otherwise precipitate there.
  • the barrier barrier 11 consists of a plurality of flat and annular barrier elements 12, 14, 16. The barrier elements 12, 14, 16 each have a fixed edge, with which they are attached to a wall of the second gas outlet channel 10, and a free edge, which is spaced from the respective opposite wall of the gas outlet channel 10.
  • FIG. 2 shows a relative position of the source housing 2 with respect to the housing 1, in which the center axes Z of the housing 1 and source housing 2 coincide. It is a centric arrangement of the source housing 2 relative to the housing. 1 Figures 6 and 7 show an eccentric arrangement of the source housing 2 relative to the housing 1.
  • the cause of such an eccentric arrangement may be a mechanical deformation of the source housing 2, by the increased temperature Tl within the evaporation device 3, 3 ', 3rd
  • the temperature of the evaporation device 3, 3 ', 3 is higher than the condensation temperature of the vapor and higher than the wall temperature T2 of the housing 1.
  • An annular disk-shaped barrier element 12 has a plurality of arranged on a circular arc line over the entire circumference of the barrier element 12 gas passage openings 13.
  • the gas passage openings 13 are immediately adjacent to the outer wall of the source housing 2. With its fixed edge, the barrier element 12 is secured in an annular recess of the end face 19 of the source housing 2 and the mouth portion.
  • the free edge section of the barrier element 12 is spaced from the opposite wall of the second gas outlet channel 10, which is formed by the housing 1.
  • a barrier element 14 is fastened in the flow direction in front of the barrier element 12 on the radially inner wall of the second gas outlet channel 10 and likewise has gas passage openings 15 distributed uniformly over a circular circumferential line.
  • a barrier element 16 is attached to the radially outer wall of the second gas outlet channel 10 with a fixed edge portion. This barrier element 16 lies between the two barrier elements 12, 14 and forms two broad side surfaces pointing away from one another. A broad side surface of one of the barrier elements 12, 14 is touching against each of these broad side surfaces. The distance of the barrier elements 12, 14 from each other thus corresponds to Material thickness of the barrier element 16.
  • the barrier elements 12, 14, 16 are touching and sealing each other and can relatively in a plane that is perpendicular to the center line Z, relocate, for example, from the position shown in Figures 2 and 3 in the in the figures 6 and 7 position.
  • the gas passage openings 13, 15 are so far away from the free edge of the associated barrier elements 12, 14 that it is not closed by the barrier element 16 even in the extreme displacement positions. Therefore, the barrier element 16 projects only by a distance in the second gas outlet channel 10, which is less than or equal to the distance of the gas passage openings 13, 15 from the respective free edge of the barrier element 12, 14.
  • the barrier elements 12, 14, 16 also have a such width that they overlap each other even with a maximum displacement of the source housing 2 relative to the device housing 1. For this purpose, the radial distance of the gas passage openings 13, 15 of a gas-permeable barrier element 12, 14 forms a first distance from its free edge.
  • a third distance is formed by the free edge of the gas-permeable barrier element 12, 14 of its fixed edge, ie of its radial width within the second gas outlet channel 10.
  • a fourth distance is the maximum width of the gas outlet channel 10, so the maximum distance formed by the source housing 2 Wall to the wall formed by the housing 1 of the gas outlet channel 10. It is provided in particular that the first distance is greater than the second distance and that the sum of the second and the third distance is greater than the fourth distance.
  • the barrier elements 12, 14, 16 are preferably made of a corrosion-resistant metal or a ceramic material.
  • the barrier elements 12, 14, 16 have an annular shape and a barrier member 16 is not permeable to gas and preferably two fixed to the same wall of the gas outlet channel 10 connected barrier elements 12, 14, gas passage openings 13, 15, which are preferably offset from one another.
  • the second gas flow 9 enters an annular intermediate chamber, which is formed between the two barrier elements 12, 14. From this intermediate chamber, the second gas flow 9 passes through the gas outlet openings 13 into the gap 17, which surrounds the mouth of the transport line 7 in an annular manner. From the gap 17, the second gas stream 9, together with the first gas stream 5 emerging from the first gas outlet channel 6, enters the transport line 7, where the two gas streams mix.
  • the second gas stream 9 may be formed by an inert inert gas.
  • the first gas stream 5 contains the, in particular inert, carrier gas fed in through the first gas feed line 4 and the vapor formed in the evaporation device 3, 3 ', 3 "
  • Gas stream 9 in the first gas stream 5 thus takes place dilution.
  • a device which is characterized in that the rear diffusion barrier 11 is formed such that a position change of two, in particular opposite wall portions of the gas outlet channel 6 is made possible relative to each other.
  • a device characterized in that the back diffusion barrier 11 has at least one first barrier element 12 fixed immovably to the source housing 2 and at least one second barrier element 16 fixed immovably to the housing 1, the two barrier elements 12, 16 sealingly and can be displaced relative to each other and at least one barrier element 12, 16 is permeable to gas.
  • a device which is characterized in that a gas-permeable barrier element 12 of the back diffusion barrier 11 has a plurality of gas passage openings 13.
  • a device which is characterized in that a non-gas-permeable barrier element of the back diffusion barrier 11 with each other technological surfaces each touching a gas passage openings 13, 15 having barrier element 12, 14 is applied.
  • a device characterized in that the back diffusion barrier 11 has at least one barrier element 12, 14 fixed with a fixed edge to a wall of the second gas outlet channel 10 formed by the source housing 2 and having a free edge, which is spaced from the opposite, formed by the housing 1 wall of the second gas outlet channel 10, and at least one barrier element 16 which is fixed with its fixed edge on the wall of the second gas outlet channel 10 formed by the housing 1 and the free edge of the opposite, formed by the source housing 2 wall of the second gas outlet channel 10 is spaced.
  • a device which is characterized in that the barrier elements 12, 14, 16 are flat, annular body, the channel 10 in the flow direction of the second gas stream 9 alternately formed on a source of the housing 2 inner wall of the second gas outlet or at one of the housing 1 formed outer wall of the second gas outlet channel 10 are arranged.
  • a device which is characterized in that a first distance of the gas passage openings 13, 15 of a gas-permeable barrier element 12, 14 from the free edge of the barrier element 12, 14 is greater than a second distance of the free edge of a gas-impermeable barrier element 16 his fixed edge and the sum of the second distance and a third distance of the free edge of the gas-permeable barrier element 12, 14 of its fixed edge is greater than a maximum distance of the both the barrier elements 12, 14, 16 holding wall sections of the second gas outlet channel 10th
  • a device which is characterized in that the existing of a plurality of barrier elements 12, 14, 16 rear diffusion barrier 11 is disposed at a free downstream end of a fixed to a cover 18 of the housing 1 source housing 2 whose end face 19 in the vertical direction of a step 20 is spaced so that gas passage openings 13 of the diffusion barrier 11 open into a gap 17 space.
  • a device which is characterized in that the free gas passage cross-section of the diffusion barrier remains unchanged with respect to one another when the barrier elements 12 are displaced.
  • a device characterized in that the evaporation device 3, 3 ', 3 "is heatable to a temperature Tl which is greater than a temperature T2 of the housing 1.
  • a device characterized in that the device is part of a CVD or PVD device having a process chamber into which the transport line 7 opens and in which a substrate is coated. All disclosed features are essential to the invention (individually, but also in combination with one another).
  • the disclosure of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application.
  • the subclaims characterize with their features independent inventive developments of the prior art, in particular to make on the basis of these claims divisional applications.

Abstract

The invention relates to a device for providing a process gas in a coating device, comprising a housing (1); a source housing (2) which is arranged in the housing and which contains an evaporation device (3, 3', 3") for liquid or solid starting materials; a first gas feed line (4) leading into the source housing (2) for generating a first gas flow (5) through the source housing (2); a first gas outlet channel (6) for discharging the first gas flow (5) from the source housing (2) into a transport line (7); a second gas feed line (8) leading into the housing (1) for generating a second gas flow (9) through the housing (1) outside of the source housing (2); and a second gas outlet channel (10) for discharging the second gas flow (9) out of the housing (1) into the transport line (7), said second gas outlet channel surrounding the first gas outlet channel (6) and being equipped with a back-diffusion barrier (11). According to the invention, the back-diffusion barrier (11) is designed such that the position of two gas outlet channel (6) wall portions which oppose each other in particular can be changed relative to each other.

Description

Beschreibung  description
Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungsein- richtung Device for providing a process gas in a coating device
Gebiet der Technik Field of engineering
[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung, die eine Verdampfungseinrich- tung für flüssige oder feste Ausgangsstoffe aufweist, die in einem Quellengehäuse angeordnet ist. Mittels einer ersten Gaszuleitung wird in das Quellengehäuse ein flüssige oder feste Aerosolpartikel aufweisendes Aerosol eingespeist. Die Aerosolpartikel werden dort verdampft. Der Dampf tritt durch einen Gasaustrittskanal aus dem Quellengehäuse aus. Mittels einer Transportleitung wird der von der Verdampfungseinrichtung gebildete Dampf in eine Prozesskammer eingespeist, in der sich ein Gasauslassorgan befindet, durch welches der Dampf austritt, um auf einem in der Prozesskammer insbesondere auf einem gekühlten Suszeptor angeordneten Substrat zu kondensieren. [0001] The invention relates to a device for providing a process gas in a coating device, which has an evaporation device for liquid or solid starting materials, which is arranged in a source housing. By means of a first gas supply line, a liquid or solid aerosol particle-containing aerosol is fed into the source housing. The aerosol particles are evaporated there. The vapor exits the source housing through a gas exit channel. By means of a transport line, the vapor formed by the evaporation device is fed into a process chamber in which there is a gas outlet member, through which the vapor exits, in order to condense on a substrate arranged in the process chamber, in particular on a cooled susceptor.
Stand der Technik State of the art
[0002] Die WO 2012/175128 AI beschreibt eine Verdampfungsvorrichtung, die in Strömungsrichtung eines Aerosols zwei hintereinander angeordnete Wärmeübertragungskörper aufweist. Die beiden Wärmeübertragungskörper werden von elektrisch leitenden Festkörperschäumen gebildet, die durch Hindurchleiten eines elektrischen Stroms beheizt werden. Ähnliche Vorrichtungen beschreiben die WO 2012/175124 AI, WO 2010/175126 AI, DE 10 2011 051 261 AI oder DE 10 2011 051 260 AI. WO 2012/175128 Al describes an evaporation device, which has two successively arranged heat transfer body in the flow direction of an aerosol. The two heat transfer bodies are formed by electrically conductive solid-state foams, which are heated by passing an electric current. Similar devices describe WO 2012/175124 AI, WO 2010/175126 AI, DE 10 2011 051 261 AI or DE 10 2011 051 260 AI.
[0003] Aus der US 4,769,296 und US 4,885,211 ist die Fertigung von lichtemittierenden Dioden (OLED) aus organischen Ausgangs Stoffen bekannt. Zur Ferti- gung von OLEDs müssen feste oder flüssige Ausgangsstoffe in eine Gasform gebracht werden. Dies erfolgt mit einem Verdampfer. From US 4,769,296 and US 4,885,211 the production of light emitting diodes (OLED) from organic starting materials is known. For the When using OLEDs, solid or liquid starting materials must be gaseous. This is done with an evaporator.
[0004] Eine Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs beschreibt die DE 10 2014 115 497 AI. Beschrieben wird dort eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung, bei dem ein flüssiger oder fester Ausgangsstoff von einer Verdampfungseinrichtung verdampft wird. Der von einem Trägergas transportierte Dampf wird durch einen ersten A device for depositing OLEDs describes the DE 10 2014 115 497 AI. Described there is a device for providing a process gas in a coating device, in which a liquid or solid starting material is evaporated by an evaporation device. The transported by a carrier gas vapor is passed through a first
Gasaustrittskanal aus dem Quellengehäuse heraus in eine Transportleitung geleitet. Eine zweite Gaszuleitung mündet in die Transportleitung zum Austritt eines zweiten Gasstroms, mit dem der erste, den Dampf beinhaltende Gasstrom verdünnt wird. Gas outlet channel out of the source housing out into a transport line. A second gas supply line opens into the transport line to the outlet of a second gas stream, with which the first, the steam-containing gas stream is diluted.
[0005] Die DE 10 2014 109 196 beschreibt eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung, bei der ein erster Gasstrom mittels ersten Zuleitungen in ein Quellengehäuse eingespeist wird. Die erste Gaszuleitung wird von Rohren ausgebildet, deren offene Enden in einem Wärmeübertragungskörper münden. Stromabwärts dieses Wärmeübertragungskörpers befinden sich weitere Wärmeübertragungskörper, die jeweils durch Hindurchleiten von elektrischem Strom aufgeheizt werden. [0006] Die US 2010/0206231 AI, US 2010/0012036 AI, JP 0800823 A und EP 2 819 150 A2 beschreiben labyrinthartige Dichtungen bzw. Rückdiffusionsbarri- eren, die stromabwärts einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors innerhalb einer Gasableitung angeordnet sind, um eine Rückdiffusion in die Prozesskammer zu vermeiden. Zusammenfassung der Erfindung DE 10 2014 109 109 describes an apparatus for producing a vapor from a solid or liquid starting material for a CVD or PVD device, in which a first gas stream is fed by means of first feed lines in a source housing. The first gas supply line is formed by tubes whose open ends open in a heat transfer body. Downstream of this heat transfer body are other heat transfer bodies, which are each heated by passing electrical current. [0006] US 2010/0206231 A1, US 2010/0012036 A1, JP 0800823 A and EP 2 819 150 A2 describe labyrinth-type seals or back-diffusion barriers, which are arranged downstream of a process chamber of a CVD reactor within a gas discharge, around a To avoid back diffusion into the process chamber. Summary of the invention
[0007] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden. The invention has for its object to further develop a device for providing a process gas nutzsvorteilhaft.
[0008] Gelöst wird die Aufgabe zunächst und im Wesentlichen durch eine Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungsein- richtung mit einem Gehäuse und einem darin angeordneten, eine Verdampfungseinrichtung für flüssige oder feste Ausgangs Stoffe beinhaltenden Quellengehäuse, mit einer ersten Gaszuleitung in das Quellengehäuse zum Erzeugen eines ersten Gasstromes durch das Quellengehäuse, mit einem ersten Gasaustrittskanal zum Austritt des ersten Gasstroms aus dem Quellengehäuse in eine Transportleitung, mit einer zweiten Gaszuleitung in das Gehäuse zum Erzeugen eines zweiten Gasstroms durch das Gehäuse außerhalb des Quellengehäuses und mit einem zweiten Gasaustrittskanal zum Austritt des zweiten Gasstroms aus dem Gehäuse in die Transportleitung, der den ersten Gasaustrittskanal umgibt und in dem eine Rückdiffusionsbarriere angeordnet ist. [0009] Die Unteransprüche stellen nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen einer derartigen Vorrichtung, sondern auch eigenständige Lösungen dieser Aufgabe dar. The object is achieved first and foremost by a device for providing a process gas in a coating device with a housing and a source housing containing an evaporation device for liquid or solid starting materials, with a first gas supply line into the source housing Generating a first gas flow through the source housing, having a first gas outlet channel for the exit of the first gas stream from the source housing in a transport line, with a second gas supply into the housing for generating a second gas flow through the housing outside the source housing and with a second gas outlet channel to the outlet of second gas stream from the housing in the transport line, which surrounds the first gas outlet channel and in which a back diffusion barrier is arranged. The dependent claims represent not only advantageous developments of such a device, but also independent solutions to this problem.
[0010] Folgende Merkmale sind jeweils für sich, aber auch in Kombination vorgesehen, um die Aufgabe zu lösen beziehungsweise die oben angegebene Vorrichtung technisch zu optimieren: Im Bereich des zweiten Gasaustrittska- nals kann sich das Quellengehäuse geringfügig gegenüber dem es aufnehmenden Gehäuses verlagern, was mit einer Veränderung des Abstandes zweier sich gegenüberliegenden Wände des zweiten Gasaustrittskanales einhergeht. Die Rückdiffusionsbarriere lässt eine derartige Relativverlagerung zu. Die Rückdif- fusionsbarriere besteht aus mehreren Barriereelementen. Ein erstes Barriere- element kann am Quellengehäuse befestigt sein. Ein zweites Barriereelement kann an dem das Quellengehäuse umgebenden Vorrichtungsgehäuse befestigt sein. Eine Wand des zweiten Gasaustrittskanals wird von einem Bestandteil des Quellengehäuses und eine weitere Wand des zweiten Gasaustrittskanals von einem Bestandteil des Vorrichtungsgehäuses gebildet. Im Querschnitt besitzt der zweite Gasaustrittskanal eine Ringform, wobei die radial innenliegende Kanalwand vom Quellengehäuse und die radial außenliegende Kanalwand vom Vorrichtungsgehäuse gebildet sind. Ein erstes, am Quellengehäuse befestigtes Barriereelement besitzt einen freien Rand, mit dem es von der gegenüber- liegenden Wand des zweiten Gasaustrittskanals beabstandet ist. Ein zweites Barriereelement ist am Vorrichtungsgehäuse befestigt und besitzt einen freien Rand, der von der gegenüberliegenden Wand des Gasaustrittskanals beabstandet ist. Die beiden Barriereelemente können sich relativ zueinander verlagern. Es ist vorgesehen, dass sich die beiden Barriereelemente dichtend berüh- ren. Sie können scherend an Berührungsflächen entlanggleiten. Zumindest eines der Barriereelemente kann gasdurchlässig sein. Das gasdurchlässige Barriereelement kann eine Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen aufweisen. Die Gasbarriereelemente können von ringscheibenförmigen Körpern gebildet sein. Ein erstes Barriereelement, das mit dem Quellengehäuse verbunden ist, besitzt ei- nen radial inneren Rand, bei dem es sich um einen festen Rand handelt, mit dem es am Quellengehäuse befestigt ist, und einen radial äußeren Rand, bei dem es sich um einen freien Rand handelt. Ein zweites Barriereelement besitzt einen radial äußeren Rand, der ein fester Rand ist, mit dem das Barriereelement am Vorrichtungsgehäuse befestigt ist. Es besitzt einen freien Rand, der von der gegenüberliegenden Wand des zweiten Gasaustrittskanals beabstandet ist. Diese beiden bevorzugten Barriereelemente sind somit entweder unbeweglich am Quellengehäuse, aber gegenüber dem Vorrichtungsgehäuse oder unbeweglich am Vorrichtungsgehäuse, aber beweglich gegenüber dem Quellengehäuse befestigt. Es ist vorgesehen, dass ein nicht gasdurchlässiges Barriereelement mit zwei voneinander wegweisenden Flächen jeweils berührend an einem Gasaus- tritts Öffnungen aufweisenden Barriereelement anliegt. Das gasundurchlässige Barriereelement kann am Vorrichtungsgehäuse befestigt sein. Die beiden Gasaustrittsöffnungen aufweisenden Barriereelemente können am Quellengehäuse befestigt sein. Es ist aber auch eine umgekehrte Zuordnung möglich. Die Barriereelemente können flache, ringförmige Körper sein, die in Strömungsrichtung des zweiten Gasstromes abwechselnd berührend aneinander liegen. Derartige Barriereelemente sind abwechselnd an sich gegenüberliegenden Wänden des zweiten Gasaustrittskanals befestigt, bevorzugt abwechselnd am Quellengehäuse oder am Vorrichtungsgehäuse. Das Quellengehäuse kann sich gegen- über dem Vorrichtungsgehäuse in der Ebene, in der sich die Barriereelemente gegeneinander verlagern können, bewegen. Eine derartige Bewegung kann durch eine Wärmeaus dehnung beim Aufheizen der Verdampfungseinrichtung verursacht werden. Die Gasaustrittsöffnungen sind derart ausgebildet und angeordnet, dass sie bei einer Relativverlagerung der Barriereelemente zueinan- der nicht verschlossen werden. Insbesondere ist vorgesehen, dass der Abstand der Gasdurchtrittsöffnungen eines gasdurchlässigen Barriereelementes vom freien Rand des Barriereelementes größer ist als der Abstand des freien Randes zum festen Rand eines gasundurchlässigen Barriereelementes. Diese beiden Barriereelemente sind sich gegeneinander verlagerbaren Wänden des zweiten Gasaustrittskanals zugeordnet, so dass auch in den extremen relativen Verlagerungsstellungen der beiden Wände des Gasaustrittskanals keine Gasdurch- trittsöffnung verschlossen ist, aber gewährleistet ist, dass sich die sich gegeneinander verlagernden Barriereelemente überlappen. Hierzu ist insbesondere vorgesehen, dass die Summe aus dem Abstand des freien Randes zum festen Rand eines gasundurchlässigen Barriereelementes und der Abstand des freien Randes des gasdurchlässigen Barriereelementes von seinem festen Rand größer ist der maximal mögliche Abstand der beiden, die Barriereelemente haltenden Wandungen des zweiten Gasaustrittskanals. Hierdurch ist sichergestellt, dass sich zumindest zwei Barriereelemente auch bei einer maximalen Verlagerung des Quellengehäuses gegenüber dem Vorrichtungsgehäuse über die gesamte Umfangserstreckung des zweiten Gasaustrittskanales überlappen. Das Quellengehäuse kann eine untere Stirnseite aufweisen, an der ein Barriereelement befestigt ist. Diese untere Stirnseite umgibt die Öffnung des ersten Gasaustrittskanals, durch den ein erster Gasstrom, der den Dampf beinhaltet, austritt. Diese Öffnung bzw. der Stirnrand wird von einem im Wesentlichen rohrf örmigen Abschnitt des Quellengehäuses ausgebildet. Die radiale Innenwand des rohr- förmigen Abschnittes bildet eine Wandung des ersten Gasaustrittskanals. Die radial nach außen weisende Wandung des rohrf örmigen Abschnittes bildet eine Wandung des zweiten Gasaustrittskanals. In Strömungsrichtung stromabwärts der Mündung des ersten Gasaustrittskanals befindet sich ein Spaltraum, der eine Transportleitung ringförmig umgibt. In diesen Spaltraum münden die Gasdurchtrittsöffnungen der Diffusionsbarriere. Mit einer Heizeinrichtung, insbesondere zum Aufheizen von Festschaumkörpern, die die Verdampfungseinrichtung bilden, kann die Verdampfungseinrichtung bzw. das Quellenge- häuse auf eine Temperatur aufgeheizt werden, die größer ist als eine Temperatur, auf der das Vorrichtungsgehäuse gehalten wird. Die Vorrichtung besitzt somit ein erstes Gehäuse, in welchem eine Gasdurchtrittsöffnung angeordnet ist und welches eine höhere Temperatur aufweisen kann als ein zweites Gehäuse, welches das erste Gehäuse umgibt und welches mit einem Spülgas durchströmt wird, das sich in einer Transportleitung mit dem das erste Gehäuse durchströmenden Gasfluss mischt, wozu zur Vermeidung einer Rückdiffusion aus der Transportleitung in den das erste Gehäuse umgebenden Volumenbereich des zweiten Gehäuses eine Rückdiffusionsbarriere vorgesehen ist, durch die der einen zweiten Gasstrom bildende Spülgasstrom hindurchtreten muss. Gas- durchtrittsöffnungen der Rückdiffusionsbarriere führen zu lokal vergrößerten Strömungsgeschwindigkeiten. Die Verdampfungseinrichtung besitzt einen Wärmeübertragungskörper, der eine Öffnung aufweist, in welcher ein Zulei- tungsrohr steckt. Die Mündung des Zuleitungsrohres befindet sich in einem stromauf wärtigen Bereich eines zweiten Wärmeübertragungskörpers. Zwischen den beiden Wärmeübertragungskörpern kann ein Zwischenraum vorgesehen sein. Hinsichtlich der Ausgestaltung einer derartigen Verdampfungseinrichtung wird auf den Inhalt der DE 10 2014 109 196 verwiesen, der vollinhaltlich mit in den Offenbarungsgehalt dieser Anmeldung eingeschlossen wird. Ein Zu- leitungs System, mit dem der in einer Verdampfungseinrichtung erzeugte Dampf durch mehrfaches Verdünnen in eine Prozesskammer eines Reaktors eingeleitet wird, beschreibt die DE 10 2014 115 497, deren Offenbarungsgehalt voll in den Offenbarungsgehalt dieser Patentanmeldung einbezogen wird. Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung besitzt die Vorrichtung drei Ringe, von denen zumindest zwei Ringe auf einer Kreisbogenlinie gleichmäßig verteilte Löcher aufweisen, die Gasdurchtrittsöffnungen ausbilden. Die Ringe sind übereinander angeordnet und abwechselnd außen und innen zentriert. Damit wird eine Rückdiffusion verhindert und es werden Toleranzen hinsichtlich der zentrischen Lage des Quellengehäuses gegenüber des Vorrichtungsgehäuses ausgeglichen. Durch die gleichmäßige Anordnung der Gasdurchtrittsöffnung bildet sich eine gleichmäßige Strömungs Verteilung aus. Die Vorrichtung dient zum Verdampfen von flüssigen oder pulverförmigen Materialien und besteht aus einer Verdampfungseinheit, die in einem ersten Gehäuse angeordnet ist. Ein zweites Gehäuse kapselt das erste Gehäuse und besitzt Gehäusewände, die von den Wänden des ersten Gehäuses beabstandet sind, so dass sich ein Hohlraum ausbildet, der das erste Gehäuse umgibt. Das erste Gehäuse besitzt einen[0010] The following features are provided individually or in combination in order to achieve the object or to technically optimize the device specified above: in the region of the second gas outlet channel, the source housing can slightly shift relative to the housing accommodating it, which is associated with a change in the distance between two opposite walls of the second gas outlet channel. The back diffusion barrier allows such a relative displacement. The return diffusion barrier consists of several barrier elements. A first barrier element can be attached to the source housing. A second barrier member may be attached to the device housing surrounding the source housing. A wall of the second gas outlet channel is formed by a component of the source housing and a further wall of the second gas outlet channel of a component of the device housing. In cross-section, the second gas outlet channel has a ring shape, wherein the radially inner channel wall from the source housing and the radially outer channel wall are formed by the device housing. A first, attached to the source housing barrier element has a free edge, with which it is spaced from the opposite wall of the second gas outlet channel. A second barrier member is secured to the device housing and has a free edge spaced from the opposite wall of the gas exit channel. The two barrier elements can shift relative to each other. It is envisaged that the two barrier elements touch each other in a sealing manner. They can slide along contact surfaces with a shearing action. At least one of the barrier elements can be gas-permeable. The gas-permeable barrier element may have a multiplicity of gas passage openings. The gas barrier elements may be formed by annular disc-shaped bodies. A first barrier member connected to the source housing has a radially inner edge, which is a fixed edge to which it is attached to the source housing, and a radially outer edge, which is a free one Edge acts. A second barrier member has a radially outer edge which is a solid edge to which the barrier member is attached to the device housing. It has a free edge which is spaced from the opposite wall of the second gas outlet channel. These two preferred barrier elements are thus either immovably fixed to the source housing but opposite the device housing or immovable to the device housing but moveable relative to the source housing. It is envisaged that a non-gas-permeable barrier element with two surfaces facing away from each other would be in contact with a gas outlet. outlet openings having barrier element rests. The gas impermeable barrier element may be attached to the device housing. The two gas outlet openings having barrier elements may be attached to the source housing. But it is also a reverse assignment possible. The barrier elements can be flat, annular bodies, which lie alternately touching one another in the flow direction of the second gas flow. Such barrier elements are mounted alternately on opposite walls of the second gas outlet channel, preferably alternately on the source housing or on the device housing. The source housing can move relative to the device housing in the plane in which the barrier elements can move against each other. Such movement may be caused by thermal expansion during heating of the evaporator. The gas outlet openings are designed and arranged such that they are not closed to one another in the case of a relative displacement of the barrier elements. In particular, it is provided that the distance of the gas passage openings of a gas-permeable barrier element from the free edge of the barrier element is greater than the distance of the free edge to the fixed edge of a gas-impermeable barrier element. These two barrier elements are associated with mutually displaceable walls of the second gas outlet channel, so that even in the extreme relative displacement positions of the two walls of the gas outlet channel no gas passage opening is closed, but it is ensured that the mutually displacing barrier elements overlap. For this purpose, it is provided in particular that the sum of the distance of the free edge to the fixed edge of a gas-impermeable barrier element and the distance of the free edge of the gas-permeable barrier element from its fixed edge is greater than the maximum distance between the two, the barrier elements holding walls of the second gas outlet channel. This ensures that at least two barrier elements, even with a maximum displacement of the source housing relative to the device housing over the entire Extensive extent of the second gas outlet channel overlap. The source housing may have a lower end face to which a barrier element is attached. This lower end surrounds the opening of the first gas outlet channel, through which a first gas flow, which includes the steam, emerges. This opening or the end edge is formed by a substantially rohrf örmigen portion of the source housing. The radial inner wall of the tubular section forms a wall of the first gas outlet channel. The radially outwardly facing wall of the rohrf örmigen section forms a wall of the second gas outlet channel. In the flow direction downstream of the mouth of the first gas outlet channel is a gap space which surrounds a transport line annular. The gas passage openings of the diffusion barrier open into this gap. With a heating device, in particular for heating solid foam bodies, which form the evaporation device, the evaporation device or the source housing can be heated to a temperature which is greater than a temperature at which the device housing is held. The device thus has a first housing, in which a gas passage opening is arranged and which may have a higher temperature than a second housing, which surrounds the first housing and which is flowed through by a purge gas, which flows in a transport line with the first housing through which flows Gas flow mixes, for which purpose a back diffusion barrier is provided to prevent back diffusion from the transport line into the volume of the second housing surrounding the first housing, through which the purge gas stream forming a second gas stream must pass. Gas passage openings of the back diffusion barrier lead to locally increased flow velocities. The evaporation device has a heat transfer body which has an opening in which a supply pipe is inserted. The mouth of the supply pipe is located in an upstream area of a second heat transfer body. Between the two heat transfer bodies, a gap may be provided be. With regard to the design of such an evaporation device, reference is made to the content of DE 10 2014 109 196, which is incorporated by reference in its entirety into the disclosure content of this application. A feed system with which the steam generated in an evaporation device is introduced by multiple dilution into a process chamber of a reactor is described in DE 10 2014 115 497, the disclosure content of which is fully incorporated in the disclosure of this patent application. According to a preferred embodiment, the device has three rings, of which at least two rings on a circular arc line evenly distributed holes, which form gas passage openings. The rings are arranged one above the other and alternately centered outside and inside. Thus, a back diffusion is prevented and tolerances are compensated for the central position of the source housing relative to the device housing. The uniform arrangement of the gas passage opening forms a uniform flow distribution. The device is used for evaporating liquid or powdery materials and consists of an evaporation unit, which is arranged in a first housing. A second housing encapsulates the first housing and has housing walls spaced from the walls of the first housing to form a cavity surrounding the first housing. The first housing has one
Gasaustrittskanal zum Austritt des ersten, den Dampf enthaltenden Gasstroms. Dieser Gasaustrittskanal bildet eine Sammelzone, in der sich der gebildete Dampf sammelt und durch die das verdampfte Material hindurchgeführt wird zu einer Schnittstelle, an welche der zweite Gasstrom eingespeist wird. Mit dem zweiten Gasstrom wird die Schnittstelle derart gespült, dass kein Rückfluss des Dampfes in den Hohlraum des zweiten Gehäuses stattfinden kann, der das erste Gehäuse umgibt. Die Rückdiffusionsbarriere ist derart ausgebildet, dass eine Temperaturänderung im Bereich des ersten Gehäuses zu keiner Änderung des Gasflusses in die Schnittstelle führt. Es ist eine Vorrichtung für die Gasflussre- gelung vorgesehen. Hierzu können Massenflussregler oder dergleichen ver- wendet werden. Die von Ringelementen gebildeten Barriereelemente können formschlüssig aufeinander liegen. Gas outlet channel for the exit of the first gas stream containing the vapor. This gas outlet channel forms a collection zone in which collects the vapor formed and through which the vaporized material is passed to an interface to which the second gas stream is fed. With the second gas flow, the interface is purged such that no backflow of the vapor into the cavity of the second housing can take place surrounding the first housing. The back diffusion barrier is designed such that a temperature change in the region of the first housing does not lead to a change in the gas flow into the interface. A device for the gas flow control is provided. For this purpose, mass flow controllers or the like can be used. be used. The barrier elements formed by ring elements can lie positively against each other.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Brief description of the drawings
[0011] Die Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen im Detail erläutert. Es zeigen: The invention is explained below with reference to accompanying drawings in detail. Show it:
Fig. 1 einen Schnitt durch eine durch ein Zentrum Z einer Vorrichtung gelegten Schnitt, 1 shows a section through a section through a center Z of a device,
Fig. 2 den Schnitt gemäß Ausschnitt II in Figur 1, 2 shows the section according to detail II in Figure 1,
Fig. 3 den Schnitt gemäß Ausschnitt III in Figur 1, 3 shows the section according to section III in Figure 1,
Fig. 4 den Schnitt gemäß der Linie IV-IV in Figur 1, 4 shows the section along the line IV-IV in Figure 1,
Fig. 5 perspektivisch aufgebrochen einen Ausschnitt der in Figur 1 im Fig. 5 broken away in perspective a section of the in Figure 1 in
Querschnitt dargestellten Vorrichtung,  Cross-section illustrated device,
Fig. 6 eine Darstellung gemäß Figur 2, jedoch mit einem exzentrischen Versatz und Fig. 6 is a representation according to Figure 2, but with an eccentric offset and
Fig. 7 eine Darstellung gemäß Figur 3 mit dem exzentrischen Versatz. Beschreibung der Ausführungsformen Fig. 7 is a view according to Figure 3 with the eccentric offset. Description of the embodiments
[0012] Die in den Zeichnungen dargestellte Vorrichtung ist eine Dampfquelle zur Verwendung in einer CVD- oder PVD-Einrichtung, wie sie in der DE 10 2014 109 196 beschrieben wird beziehungsweise wie sie als Systemkompo- nente in einer CVD- oder PVD-Einrichtung verwendet wird, wie sie in der DE 10 2014 115 497 beschrieben wird. The device shown in the drawings is a vapor source for use in a CVD or PVD device, as described in DE 10 2014 109 196 or as a system component. is used in a CVD or PVD device, as described in DE 10 2014 115 497.
[0013] Die Vorrichtung besitzt eine im Wesentlichen um eine Zentrumslinie Z rotationssymmetrische Anordnung zweier Gehäuse 1, 2. Ein erstes Gehäuse bildet ein Quellengehäuse 2, das von einem Vorrichtungsgehäuse umgeben ist, das ein zweites Gehäuse 1 bildet. Zwischen der Innenwandung des Gehäuses 1 und der Außenwandung des im Gehäuse 1 angeordneten Quellengehäuses 2 befindet sich ein Hohlraum. Innerhalb des Quellengehäuses 2 befindet sich ebenfalls ein Hohlraum. Das Quellengehäuse 2 ist an einem Deckel 18 des Ge- häuses 1 befestigt, der fest mit der zylindrischen Seitenwandung des Gehäuses 1 oder der zylindrischen Seitenwand des Quellengehäuses 2 verbunden werden kann. The device has a substantially about a center line Z rotationally symmetrical arrangement of two housings 1, 2. A first housing forms a source housing 2, which is surrounded by a device housing, which forms a second housing 1. Between the inner wall of the housing 1 and the outer wall of the source housing 2 arranged in the housing 1 there is a cavity. Within the source housing 2 is also a cavity. The source housing 2 is fixed to a cover 18 of the housing 1, which can be fixedly connected to the cylindrical side wall of the housing 1 or the cylindrical side wall of the source housing 2.
[0014] Durch den Deckel 18 ragen erste Gaszuleitungen 4 in den Hohlraum des Quellengehäuses 2 hinein. Innerhalb des Quellengehäuses 2 befinden sich drei in Strömungsrichtung hintereinander angeordnete Verdampfungseinrichtungen 3, 3', 3", die durch Hindurchleiten eines elektrischen Stroms beheizbar sind und die aus einem offenporigen Schaumkörper bestehen. Die Verdampfungseinrichtungen 3, 3', 3" füllen die Querschnittsfläche der Höhlung des Quellengehäuses 2 vollständig aus. Durch die ersten Gaszuleitungen 4 wird mittels eines Träger gas Stroms ein flüssige oder feste organische Partikel aufweisendes Aerosol eingespeist. Das Aerosol tritt aus Öffnungen der ersten Gaszuleitung 4 in eine der Verdampfungseinrichtungen 3, 3', 3" ein, wo die Aerosolpartikel durch Aufnahme von Wärme verdampft werden. Hierzu wird die Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" auf eine erhöhte Temperatur Tl aufgeheizt, die höher liegt als die Kondensationstemperatur, also höher als die Verdampfungstemperatur der organischen Partikel. Es bildet sich ein erster Gasstrom 5, der den Dampf der verdampften Aerosolpartikel beinhaltet. Hinsichtlich der Funktionsweise und weiterer Ausgestaltungsmöglichkeiten der Verdampfungseinrichtungen 3, 3', 3" wird auf die DE 10 2014 109 196 verwiesen. Through the lid 18, first gas supply lines 4 protrude into the cavity of the source housing 2. Within the source housing 2 there are three evaporation devices 3, 3 ', 3 ", arranged one behind the other in the direction of flow, which are heatable by passing an electric current and which consist of an open-pore foam body of the source housing 2 completely. By the first gas supply lines 4, a liquid or solid organic particles exhibiting aerosol is fed by means of a carrier gas stream. The aerosol enters one of the evaporation devices 3, 3 ', 3 "from openings of the first gas feed line 4, where the aerosol particles are evaporated by absorbing heat. For this purpose, the evaporation device 3, 3', 3" is heated to an elevated temperature T 1. which is higher than the condensation temperature, that is higher than the evaporation temperature of the organic particles. It forms a first gas stream 5, which includes the vapor of the vaporized aerosol particles. With regard to the Mode of operation and further design possibilities of the evaporation devices 3, 3 ', 3 "are referred to DE 10 2014 109 196.
[0015] Durch einen querschnittsverjüngten Abschnitt tritt der erste Gasstrom 5 in einen ersten Gasaustrittskanal 6, der einen kreisscheibenförmigen Quer- schnitt aufweist und der von einem Mündungsabschnitt des Quellengehäuses 2 gebildet wird, der eine Rohrform aufweist. Der Mündungsabschnitt bildet eine Stirnseite 19 aus, die eine Austrittsöffnung des ersten Gasaustrittskanals 6 umgibt. Through a cross-section tapered section, the first gas flow 5 enters a first gas outlet channel 6, which has a circular disk-shaped cross-section and which is formed by a mouth section of the source housing 2, which has a tubular shape. The mouth portion forms an end face 19, which surrounds an outlet opening of the first gas outlet channel 6.
[0016] Der Stirnseite 19 liegt eine Stufe 20 gegenüber, die von einem Wandungsabschnitt des Gehäuses 1 ausgebildet wird. An die Stufe 20 schließt sich eine Transportleitung 7 an, die den ersten Gasstrom 5 zu einer Prozesskammer einer CVD- oder einer PVD-Einrichtung leitet, in der auf einem Suszeptor aufliegenden Substraten eine OLED-Schicht abgeschieden wird. Hinsichtlich möglicher Ausgestaltungen eines Transportleitungssystems wird auf die DE The end face 19 is located opposite a step 20 which is formed by a wall portion of the housing 1. The stage 20 is followed by a transport line 7 which directs the first gas stream 5 to a process chamber of a CVD or a PVD device, in which an OLED layer is deposited on substrates resting on a susceptor. With regard to possible embodiments of a transport pipe system is on the DE
10 2014 115 497 verwiesen. 10 2014 115 497.
[0017] Im Deckel 18 befinden sich gegenüber den ersten Gaszuleitungen 4 nach radial außen versetzte zweite Gaszuleitungen 8, durch die ein Trägeroder Spülgas in die das Quellengehäuse 2 umgebende Höhlung des Gehäuses 1 eingespeist werden kann, so dass sich ein zweiter Gasstrom 9 ausbildet, der am Quellengehäuse 2 vorbeiströmt. Der zweite Gasstrom 9 strömt durch einen kreisringförmigen Hohlraum, der sich in Stromabwärtsrichtung querschnittsvermindert und dort einen zweiten Gasaustrittskanal 10 ausbildet. Eine Innenwandung des zweiten Gasaustritts kanals 10 wird von dem rohrförmigen Endabschnitt des Quellengehäuses 2 ausgebildet. Der rohrförmige Endabschnitt bildet somit mit seiner Innenseite eine Wandung des ersten Gasaustrittskanals 6 und mit seiner Außenseite eine Wandung des zweiten Gasaustritts kanals 10 aus. Der zweite Gasaustrittskanal 10 umgibt den ersten Gasaustrittskanal 6 ringförmig. Eine zweite Wandung des zweiten Gasaustrittskanal 10 wird von einem Abschnitt des Gehäuses 1 ausgebildet. Der zweite Gasaustrittskanal 10 mündet in einen Spaltraum 17, der ringförmig die Mündungs Öffnungen des ersten Gasaustrittskanal 6 beziehungsweise der Transportleitung 7 umgibt. Er erstreckt sich zwischen der Stirnseite 19 und der Stufe 20. In the cover 18 are located opposite the first gas supply lines 4 radially outwardly offset second gas supply lines 8 through which a carrier or purge gas in the source housing 2 surrounding cavity of the housing 1 can be fed, so that a second gas stream 9 is formed, the flows past the source housing 2. The second gas stream 9 flows through an annular cavity, the cross-section decreases in the downstream direction and there forms a second gas outlet channel 10. An inner wall of the second gas outlet channel 10 is formed by the tubular end portion of the source housing 2. The tubular end portion thus forms with its inner side a wall of the first gas outlet channel 6 and with its outer side a wall of the second gas outlet channel 10th out. The second gas outlet channel 10 surrounds the first gas outlet channel 6 annular. A second wall of the second gas outlet channel 10 is formed by a portion of the housing 1. The second gas outlet channel 10 opens into a gap 17 which annularly surrounds the mouth openings of the first gas outlet channel 6 and the transport line 7. It extends between the front side 19 and the step 20.
[0018] Um zu vermeiden, dass der im ersten Gasstrom 5 enthaltene Dampf von verdampften organischen Ausgangsstoffen in den kälteren Bereich des zweiten Gasaustrittskanals 10 strömt, ist an der Schnittstelle zwischen zweitem Gasaustrittskanal 10 und erstem Gasaustrittskanal 6 eine Diffusionsbarriere 11 vorgesehen. Sie verhindert die Rückdiffusion von organischem Dampf in die das Quellengehäuse 2 umgebende Höhlung, deren Wände auf einer Temperatur T2 gehalten sind, die niedriger ist als die Kondensationstemperatur des Dampfes, der sich ansonsten dort niederschlagen könnte. [0019] Die Diffusionsbarriere 11 besteht aus mehreren flachen und ringförmigen Barriereelementen 12, 14, 16. Die Barriereelemente 12, 14, 16 besitzen jeweils einen festen Rand, mit dem sie an einer Wandung des zweiten Gasaustrittskanals 10 befestigt sind, und einen freien Rand, der von der jeweils gegenüberliegenden Wand des Gasaustrittskanals 10 beabstandet ist. Zufolge dieses Abstandsraums und einer lediglich berührenden Anlage der verschiedenen Wänden des Gasaustrittskanals 10 zugeordneten Barriereelemente 12, 14, 16 kann sich das Mündungsende des Quellengehäuses 2 relativ gegenüber dem Gehäuse 1 verlagern. Die Figur 2 zeigt eine Relativposition des Quellengehäuses 2 gegenüber dem Gehäuse 1, bei der die Zentrumsachsen Z von Gehäuse 1 und Quellengehäuse 2 übereinstimmen. Es handelt sich um eine zentrische Anordnung des Quellengehäuses 2 gegenüber dem Gehäuse 1. [0020] Die Figuren 6 und 7 zeigen eine exzentrische Anordnung des Quellengehäuses 2 gegenüber dem Gehäuse 1. Ursache für eine derartige exzentrische Anordnung kann eine mechanische Verformung des Quellengehäuses 2 sein, die durch die erhöhte Temperatur Tl innerhalb der Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" hervorgerufen wird. Die Temperatur der Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" liegt höher als die Kondensationstemperatur des Dampfes und höher als die Wandungstemperatur T2 des Gehäuses 1. In order to avoid that the vapor contained in the first gas stream 5 of vaporized organic starting materials flows into the colder region of the second gas outlet channel 10, a diffusion barrier 11 is provided at the interface between the second gas outlet channel 10 and the first gas outlet channel 6. It prevents the back diffusion of organic vapor into the cavity surrounding the source housing 2, the walls of which are maintained at a temperature T2 lower than the condensation temperature of the vapor which might otherwise precipitate there. The barrier barrier 11 consists of a plurality of flat and annular barrier elements 12, 14, 16. The barrier elements 12, 14, 16 each have a fixed edge, with which they are attached to a wall of the second gas outlet channel 10, and a free edge, which is spaced from the respective opposite wall of the gas outlet channel 10. According to this distance space and a merely contacting system of the various walls of the gas outlet channel 10 associated barrier elements 12, 14, 16, the mouth end of the source housing 2 can shift relative to the housing 1. FIG. 2 shows a relative position of the source housing 2 with respect to the housing 1, in which the center axes Z of the housing 1 and source housing 2 coincide. It is a centric arrangement of the source housing 2 relative to the housing. 1 Figures 6 and 7 show an eccentric arrangement of the source housing 2 relative to the housing 1. The cause of such an eccentric arrangement may be a mechanical deformation of the source housing 2, by the increased temperature Tl within the evaporation device 3, 3 ', 3rd The temperature of the evaporation device 3, 3 ', 3 "is higher than the condensation temperature of the vapor and higher than the wall temperature T2 of the housing 1.
[0021] Ein ringscheibenförmiges Barriereelement 12 besitzt eine Vielzahl von auf einer Kreisbogenlinie über den gesamten Umfang des Barriereelementes 12 angeordnete Gasdurchtrittsöffnungen 13. Die Gasdurchtrittsöffnungen 13 sind unmittelbar der Außenwandung des Quellengehäuses 2 benachbart. Mit seinem festen Rand ist das Barriereelement 12 in einer ringförmigen Ausnehmung der Stirnseite 19 des Quellengehäuses 2 beziehungsweise des Mündungsabschnittes befestigt. Der freie Randabschnitt des Barriereelementes 12 ist von der gegen- überliegenden Wand des zweiten Gasaustrittskanals 10, der vom Gehäuse 1 gebildet ist, beabstandet. An annular disk-shaped barrier element 12 has a plurality of arranged on a circular arc line over the entire circumference of the barrier element 12 gas passage openings 13. The gas passage openings 13 are immediately adjacent to the outer wall of the source housing 2. With its fixed edge, the barrier element 12 is secured in an annular recess of the end face 19 of the source housing 2 and the mouth portion. The free edge section of the barrier element 12 is spaced from the opposite wall of the second gas outlet channel 10, which is formed by the housing 1.
[0022] Ein Barriereelement 14 ist in Strömungsrichtung vor dem Barriereelement 12 an der radial innen liegenden Wandung des zweiten Gasaustrittskanals 10 befestigt und besitzt ebenfalls gleichmäßig über eine kreisförmige Umfangs- linie verteilt angeordnete Gasdurchtrittsöffnungen 15. A barrier element 14 is fastened in the flow direction in front of the barrier element 12 on the radially inner wall of the second gas outlet channel 10 and likewise has gas passage openings 15 distributed uniformly over a circular circumferential line.
[0023] Ein Barriereelement 16 ist an der radial äußeren Wand des zweiten Gasaustrittskanals 10 mit einem festen Randabschnitt befestigt. Dieses Barriereelement 16 liegt zwischen den beiden Barriereelementen 12, 14 und bildet zwei voneinander wegweisende Breitseitenflächen aus. An jeder dieser Breitseiten- flächen liegt berührend eine Breitseitenfläche eines der Barriereelemente 12, 14 an. Der Abstand der Barriereelemente 12, 14 voneinander entspricht somit der Materialstärke des Barriereelementes 16. Die Barriereelemente 12, 14, 16 liegen berührend und dichtend aufeinander und können sich relativ in einer Ebene, die senkrecht zur Zentrumslinie Z verläuft, verlagern, beispielsweise von der in den Figuren 2 und 3 dargestellten Position in die in den Figuren 6 und 7 darge- stellte Position. A barrier element 16 is attached to the radially outer wall of the second gas outlet channel 10 with a fixed edge portion. This barrier element 16 lies between the two barrier elements 12, 14 and forms two broad side surfaces pointing away from one another. A broad side surface of one of the barrier elements 12, 14 is touching against each of these broad side surfaces. The distance of the barrier elements 12, 14 from each other thus corresponds to Material thickness of the barrier element 16. The barrier elements 12, 14, 16 are touching and sealing each other and can relatively in a plane that is perpendicular to the center line Z, relocate, for example, from the position shown in Figures 2 and 3 in the in the figures 6 and 7 position.
[0024] Die Gasdurchtrittsöffnungen 13, 15 sind derart weit vom freien Rand der zugehörigen Barriereelemente 12, 14 beabstandet, dass sie auch in den extremen Verlagerungsstellungen nicht vom Barriereelement 16 verschlossen ist. Das Barriereelement 16 ragt deshalb nur um einen Abstand in den zweiten Gasaustrittskanal 10 hinein, der kleiner oder gleich ist dem Abstand der Gasdurchtrittsöffnungen 13, 15 vom jeweiligen freien Rand des Barriereelementes 12, 14. Die Barriereelemente 12, 14, 16 besitzen darüber hinaus auch eine derartige Breite, dass sie sich auch bei einer maximalen Verlagerung des Quellengehäuses 2 gegenüber dem Vorrichtungsgehäuse 1 ringsum überlappen. Hierzu bildet der radiale Abstand der Gasdurchtrittsöffnungen 13, 15 eines gasdurchlässigen Barriereelementes 12, 14 von seinem freien Rand einen ersten Abstand. Der Abstand des freien Randes zum festen Rand des gasundurchlässigen Barriereelementes 16, also dessen radiale Breite, bildet einen zweiten Abstand. Ein dritter Abstand wird vom freien Rand des gasdurchlässigen Barriereelementes 12, 14 von seinem festen Rand gebildet, also von dessen radialer Breite innerhalb des zweiten Gasaustrittskanals 10. Ein vierter Abstand ist die maximale Breite des Gasaustrittskanals 10, also der maximale Abstand der vom Quellengehäuse 2 gebildeten Wandung zu der vom Gehäuse 1 gebildeten Wandung des Gasaustrittskanals 10. Es ist insbesondere vorgesehen, dass der erste Ab- stand größer ist als der zweite Abstand und dass die Summe aus dem zweiten und dem dritten Abstand größer ist als der vierte Abstand. [0025] Die Barriereelemente 12, 14, 16 sind bevorzugt aus einem korrosionsfesten Metall oder einem keramischen Werkstoff gefertigt. Es handelt sich um sich gegenseitig im Bereich ihrer freien Ränder berührend und dichtend überlappende Barriereelemente 12, 14, 16, wobei die Barriereelemente 12, 14, 16 eine kreisringförmige Gestalt aufweisen und ein Barriereelement 16 nicht gasdurchlässig ist und bevorzugt zwei fest mit derselben Wand des Gasaustrittskanals 10 verbundene Barriereelemente 12, 14, Gasdurchtrittsöffnungen 13, 15 aufweisen, die bevorzugt versetzt zueinander angeordnet sind. Durch eine stromaufwärti- ge Gasdurchtrittsöffnung 15 tritt der zweite Gasstrom 9 in eine ringförmige Zwischenkammer ein, die zwischen den beiden Barriereelementen 12, 14 ausgebildet ist. Aus dieser Zwischenkammer tritt der zweite Gasstrom 9 durch die Gasaustrittsöffnungen 13 hindurch in den Spaltraum 17 ein, der ringförmig die Mündung der Transportleitung 7 umgibt. Aus dem Spaltraum 17 tritt der zweite Gasstrom 9 zusammen mit dem aus dem ersten Gasaustrittskanal 6 austre- tenden ersten Gasstrom 5 in die Transportleitung 7 ein, wo sich die beiden Gasströme mischen. Der zweite Gasstrom 9 kann von einem reaktionsträgen Inertgas gebildet sein. Der erste Gasstrom 5 enthält das durch die erste Gaszuleitung 4 eingespeiste, insbesondere inerte Trägergas und den in der Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" gebildeten Dampf. Mit der Einspeisung des zweiten The gas passage openings 13, 15 are so far away from the free edge of the associated barrier elements 12, 14 that it is not closed by the barrier element 16 even in the extreme displacement positions. Therefore, the barrier element 16 projects only by a distance in the second gas outlet channel 10, which is less than or equal to the distance of the gas passage openings 13, 15 from the respective free edge of the barrier element 12, 14. The barrier elements 12, 14, 16 also have a such width that they overlap each other even with a maximum displacement of the source housing 2 relative to the device housing 1. For this purpose, the radial distance of the gas passage openings 13, 15 of a gas-permeable barrier element 12, 14 forms a first distance from its free edge. The distance of the free edge to the fixed edge of the gas-impermeable barrier element 16, so its radial width, forms a second distance. A third distance is formed by the free edge of the gas-permeable barrier element 12, 14 of its fixed edge, ie of its radial width within the second gas outlet channel 10. A fourth distance is the maximum width of the gas outlet channel 10, so the maximum distance formed by the source housing 2 Wall to the wall formed by the housing 1 of the gas outlet channel 10. It is provided in particular that the first distance is greater than the second distance and that the sum of the second and the third distance is greater than the fourth distance. The barrier elements 12, 14, 16 are preferably made of a corrosion-resistant metal or a ceramic material. These are mutually in the region of their free edges touching and sealing overlapping barrier elements 12, 14, 16, wherein the barrier elements 12, 14, 16 have an annular shape and a barrier member 16 is not permeable to gas and preferably two fixed to the same wall of the gas outlet channel 10 connected barrier elements 12, 14, gas passage openings 13, 15, which are preferably offset from one another. Through an upstream gas passage opening 15, the second gas flow 9 enters an annular intermediate chamber, which is formed between the two barrier elements 12, 14. From this intermediate chamber, the second gas flow 9 passes through the gas outlet openings 13 into the gap 17, which surrounds the mouth of the transport line 7 in an annular manner. From the gap 17, the second gas stream 9, together with the first gas stream 5 emerging from the first gas outlet channel 6, enters the transport line 7, where the two gas streams mix. The second gas stream 9 may be formed by an inert inert gas. The first gas stream 5 contains the, in particular inert, carrier gas fed in through the first gas feed line 4 and the vapor formed in the evaporation device 3, 3 ', 3 "
Gasstroms 9 in den ersten Gasstrom 5 findet somit eine Verdünnung statt. Gas stream 9 in the first gas stream 5 thus takes place dilution.
[0026] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, nämlich: [0027] Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschich- tungseinrichtung mit einem Gehäuse 1 und einem darin angeordneten, eine Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" für flüssige oder feste Ausgangsstoffe bein- haltendes Quellengehäuse 2, mit einer ersten Gaszuleitung 4 in das Quellengehäuse 2 zum Erzeugen eines ersten Gas Stromes 5 durch das Quellengehäuse 2, mit einem ersten Gasaustrittskanal 6 zum Austritt des ersten Gasstroms 5 aus dem Quellengehäuse 2 in eine Transportleitung 7, mit einer zweiten Gaszulei- tung 8 in das Gehäuse 1 zum Erzeugen eines zweiten Gasstroms 9 durch das Gehäuse 1 außerhalb des Quellengehäuses 2 und mit einem zweiten Gasaustrittskanal 10 zum Austritt des zweiten Gasstroms 9 aus dem Gehäuse 1 in die Transportleitung 7, der den ersten Gasaustrittskanal 6 umgibt und in dem eine Rückdiffusionsbarriere 11 angeordnet ist. [0028] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Rückdiffusionsbarriere 11 derart ausgebildet ist, dass eine Lage Veränderung zweier insbesondere sich gegenüberliegender Wandabschnitte des Gasaustrittskanals 6 relativ zueinander ermöglicht ist. [0026] The above explanations serve to explain the inventions as a whole, which further develop the state of the art independently, at least by the following feature combinations, namely: [0027] Device for providing a process gas in a coating device with a housing 1 and disposed therein, an evaporation device 3, 3 ', 3 "for liquid or solid starting materials bein- holding source housing 2, with a first gas supply line 4 into the source housing 2 for generating a first gas stream 5 through the source housing 2, with a first gas outlet channel 6 for the exit of the first gas stream 5 from the source housing 2 into a transport line 7, with a second gas supply line. 8 in the housing 1 for generating a second gas stream 9 through the housing 1 outside the source housing 2 and with a second gas outlet channel 10 for exit of the second gas stream 9 from the housing 1 in the transport line 7, which surrounds the first gas outlet channel 6 and in the a back diffusion barrier 11 is arranged. A device which is characterized in that the rear diffusion barrier 11 is formed such that a position change of two, in particular opposite wall portions of the gas outlet channel 6 is made possible relative to each other.
[0029] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Rückdiffu- sionsbarriere 11 mindestens ein erstes unbeweglich am Quellengehäuse 2 befestigtes Barriereelement 12 und mindestens ein zweites unbeweglich am Gehäuse 1 befestigtes Barriereelement 16 aufweist, wobei sich die beiden Barriereelemente 12, 16 dichtend und gegeneinander verlagerbar berühren und zumindest ein Barriereelement 12, 16 gasdurchlässig ist. [0030] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein gasdurchlässiges Barriereelement 12 der Rückdiffusionsbarriere 11 eine Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen 13 aufweist. [0029] A device, characterized in that the back diffusion barrier 11 has at least one first barrier element 12 fixed immovably to the source housing 2 and at least one second barrier element 16 fixed immovably to the housing 1, the two barrier elements 12, 16 sealingly and can be displaced relative to each other and at least one barrier element 12, 16 is permeable to gas. A device which is characterized in that a gas-permeable barrier element 12 of the back diffusion barrier 11 has a plurality of gas passage openings 13.
[0031] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein nicht gasdurchlässiges Barriereelement der Rückdiffusionsbarriere 11 mit voneinander wegweisenden Flächen jeweils berührend an einem Gasdurchtrittsöffnungen 13, 15 aufweisenden Barriereelement 12, 14 anliegt. A device which is characterized in that a non-gas-permeable barrier element of the back diffusion barrier 11 with each other groundbreaking surfaces each touching a gas passage openings 13, 15 having barrier element 12, 14 is applied.
[0032] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Rückdiffu- sionsbarriere 11 zumindest ein Barriereelement 12, 14 aufweist, das mit einem festen Rand an einer vom Quellengehäuse 2 gebildeten Wand des zweiten Gasaustritts kanals 10 befestigt ist und einen freien Rand aufweist, der von der gegenüberliegenden, vom Gehäuse 1 gebildeten Wand des zweiten Gasaustrittskanals 10 beabstandet ist, und zumindest ein Barriereelement 16 aufweist, das mit seinem festen Rand an der vom Gehäuse 1 gebildeten Wand des zwei- ten Gasaustritts kanals 10 befestigt ist und dessen freier Rand von der gegenüberliegenden, vom Quellengehäuse 2 gebildeten Wand des zweiten Gasaustrittskanals 10 beabstandet ist. [0032] A device characterized in that the back diffusion barrier 11 has at least one barrier element 12, 14 fixed with a fixed edge to a wall of the second gas outlet channel 10 formed by the source housing 2 and having a free edge, which is spaced from the opposite, formed by the housing 1 wall of the second gas outlet channel 10, and at least one barrier element 16 which is fixed with its fixed edge on the wall of the second gas outlet channel 10 formed by the housing 1 and the free edge of the opposite, formed by the source housing 2 wall of the second gas outlet channel 10 is spaced.
[0033] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Barriereelemente 12, 14, 16 flache, ringförmige Körper sind, die in Strömungsrichtung des zweiten Gasstroms 9 abwechselnd an einer vom Quellengehäuse 2 ausgebildeten Innenwand des zweiten Gasaustritts kanals 10 oder an einer vom Gehäuse 1 ausgebildeten Außen wandung des zweiten Gasaustrittskanals 10 angeordnet sind. A device which is characterized in that the barrier elements 12, 14, 16 are flat, annular body, the channel 10 in the flow direction of the second gas stream 9 alternately formed on a source of the housing 2 inner wall of the second gas outlet or at one of the housing 1 formed outer wall of the second gas outlet channel 10 are arranged.
[0034] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass ein erster Ab- stand der Gasdurchtrittsöffnungen 13, 15 eines gasdurchlässigen Barriereelementes 12, 14 vom freien Rand des Barriereelementes 12, 14 größer ist als ein zweiter Abstand des freien Randes eines gasundurchlässigen Barriereelementes 16 zu seinem festen Rand und die Summe aus dem zweiten Abstand und einem dritten Abstand des freien Randes des gasdurchlässigen Barriereelementes 12, 14 von seinem festen Rand größer ist als ein maximal möglicher Abstand der beiden die Barriereelemente 12, 14, 16 haltenden Wandabschnitte des zweiten Gasaustrittskanals 10. A device which is characterized in that a first distance of the gas passage openings 13, 15 of a gas-permeable barrier element 12, 14 from the free edge of the barrier element 12, 14 is greater than a second distance of the free edge of a gas-impermeable barrier element 16 his fixed edge and the sum of the second distance and a third distance of the free edge of the gas-permeable barrier element 12, 14 of its fixed edge is greater than a maximum distance of the both the barrier elements 12, 14, 16 holding wall sections of the second gas outlet channel 10th
[0035] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die aus mehreren Barriereelementen 12, 14, 16 bestehende Rückdiffusionsbarriere 11 an einem freien stromab wärtigen Ende eines an einem Deckel 18 des Gehäuses 1 befestigten Quellengehäuse 2 angeordnet ist, dessen Stirnseite 19 in Vertikalrichtung von einer Stufe 20 beabstandet ist, so dass Gasdurchtrittsöffnungen 13 der Diffusionsbarriere 11 in einen Spaltraum 17 münden. A device, which is characterized in that the existing of a plurality of barrier elements 12, 14, 16 rear diffusion barrier 11 is disposed at a free downstream end of a fixed to a cover 18 of the housing 1 source housing 2 whose end face 19 in the vertical direction of a step 20 is spaced so that gas passage openings 13 of the diffusion barrier 11 open into a gap 17 space.
[0036] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der freie Gas- durchtrittsquerschnitt der Diffusionsbarriere bei einer Verlagerung der Barriereelemente 12 gegeneinander unverändert bleibt. A device which is characterized in that the free gas passage cross-section of the diffusion barrier remains unchanged with respect to one another when the barrier elements 12 are displaced.
[0037] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" auf eine Temperatur Tl aufheizbar ist, die größer ist als eine Temperatur T2 des Gehäuses 1. [0038] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verdampfungseinrichtung 3, 3', 3" von offenporigen Festschaumkörpern gebildet ist, die durch Hindurchleiten eines elektrischen Stromes auf eine erhöhte Temperatur Tl auf heizbar sind. A device, characterized in that the evaporation device 3, 3 ', 3 "is heatable to a temperature Tl which is greater than a temperature T2 of the housing 1. A device which is characterized the evaporation device 3, 3 ', 3 "is formed by open-pore solid foam bodies which are heatable by passing an electric current to an elevated temperature T 1.
[0039] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Vorrichtung Teil einer CVD- oder PVD-Einrichtung ist, die eine Prozesskammer aufweist, in welche die Transportleitung 7 mündet und in welcher ein Substrat beschichtet wird. [0040] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. A device, characterized in that the device is part of a CVD or PVD device having a process chamber into which the transport line 7 opens and in which a substrate is coated. All disclosed features are essential to the invention (individually, but also in combination with one another). The disclosure of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The subclaims characterize with their features independent inventive developments of the prior art, in particular to make on the basis of these claims divisional applications.
Liste der Bezugszeichen List of reference numbers
1 Gehäuse Z Zentrumslinie1 housing Z center line
2 Quellengehäuse 2 source housing
3 Verdampfungseinrichtung  3 evaporation device
3' Verdampfungseinrichtung  3 'evaporation device
3" Verdampfungseinrichtung  3 "evaporation device
4 erste Gaszuleitung  4 first gas supply line
5 erster Gas ström  5 first gas Ström
6 erster Gasaustrittskanal  6 first gas outlet channel
7 Transportleitung  7 transport line
8 zweite Gaszuleitung  8 second gas supply line
9 zweiter Gasstrom  9 second gas stream
10 zweiter Gasaustrittskanal  10 second gas outlet channel
11 Diffusionsbarriere  11 diffusion barrier
12 Barriereelement  12 barrier element
13 Gasdurchtrittsöffnung  13 gas passage opening
14 Barriereelement  14 barrier element
15 Gasdurchtrittsöffnung  15 gas passage opening
16 Barriereelement  16 barrier element
17 Spaltraum  17 gap space
18 Deckel  18 lids
19 Stirnseite  19 front side
20 Stufe  20 level

Claims

Ansprüche  claims
1. Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungs- einrichtung mit einem Gehäuse (1) und einem darin angeordneten, eine Verdampfungseinrichtung (3, 3', 3") für flüssige oder feste Ausgangsstoffe beinhaltendes Quellengehäuse (2), mit einer ersten Gaszuleitung (4) in das Quellengehäuse (2) zum Erzeugen eines ersten Gasstromes (5) durch das1. A device for providing a process gas in a coating device with a housing (1) and arranged therein, an evaporation device (3, 3 ', 3 ") for liquid or solid starting materials containing source housing (2), with a first gas supply line ( 4) in the source housing (2) for generating a first gas flow (5) through the
Quellengehäuse (2), mit einem ersten Gasaustrittskanal (6) zum Austritt des ersten Gasstroms (5) aus dem Quellengehäuse (2) in eine Transportleitung (7), mit einer zweiten Gaszuleitung (8) in das Gehäuse (1) zum Erzeugen eines zweiten Gasstroms (9) durch das Gehäuse (1) außerhalb des Quellengehäuses (2) und mit einem zweiten Gasaustrittskanal (10) zumSource housing (2), with a first gas outlet channel (6) for the exit of the first gas stream (5) from the source housing (2) in a transport line (7), with a second gas supply line (8) in the housing (1) for generating a second Gas flow (9) through the housing (1) outside the source housing (2) and with a second gas outlet channel (10) for
Austritt des zweiten Gasstroms (9) aus dem Gehäuse (1) in die Transportleitung (7), der den ersten Gasaustrittskanal (6) umgibt und in dem eine Rückdiffusionsbarriere (11) angeordnet ist. Outlet of the second gas stream (9) from the housing (1) in the transport line (7), which surrounds the first gas outlet channel (6) and in which a rear diffusion barrier (11) is arranged.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückdif¬
Figure imgf000022_0001
fusionsbarriere (11) derart ausgebildet ist, dass eine Lageveränderung zweier insbesondere sich gegenüberliegender Wandabschnitte des Gasaustrittskanals (6) relativ zueinander ermöglicht ist. Apparatus according to claim 1, characterized in that the Rückdif¬
Figure imgf000022_0001
Fusion barrier (11) is formed such that a change in position of two, in particular opposite wall portions of the gas outlet channel (6) is made possible relative to each other.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückdiffusionsbarriere (11) mindestens ein erstes unbeweglich am Quellengehäuse (2) befestigtes Barriereelement (12) und mindestens ein zweites unbeweglich am Gehäuse (1) befestigtes Barriereelement (16) aufweist, wobei sich die beiden Barriereelemente (12, 16) dichtend und gegeneinander verlagerbar berühren und zumindest ein Barriereelement (12, 16) gasdurchlässig ist. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein gasdurchlässiges Barriereelement (12) der Rückdif- fusionsbarriere (11) eine Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen (13) aufweist. 3. A device according to claim 2, characterized in that the back diffusion barrier (11) has at least a first immovably fixed to the source housing (2) barrier element (12) and at least a second immovably fixed to the housing (1) barrier element (16), wherein the both barrier elements (12, 16) sealingly and mutually displaceable touch and at least one barrier element (12, 16) is gas-permeable. Device according to one of the preceding claims, characterized in that a gas-permeable barrier element (12) of the back-diffusion barrier (11) has a plurality of gas passage openings (13).
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein nicht gasdurchlässiges Barriereelement der Rückdiffusionsbarrie- re (11) mit voneinander wegweisenden Flächen jeweils berührend an einem Gasdurchtrittsöffnungen (13, 15) aufweisenden Barriereelement (12, 14) anliegt. Device according to one of claims 2 to 4, characterized in that a non-gas-permeable barrier element of the Rückdiffusionsbarrie- re (11) with facing away from each other surfaces in contact with a gas passage openings (13, 15) having barrier element (12, 14).
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückdiffusionsbarriere (11) zumindest ein Barriereelement (12, 14) aufweist, das mit einem festen Rand an einer vom Quellengehäuse (2) gebildeten Wand des zweiten Gasaustrittskanals (10) befestigt ist und einen freien Rand aufweist, der von der gegenüberliegenden, vom Gehäuse (1) gebildeten Wand des zweiten Gasaustrittskanals (10) beabstandet ist, und zumindest ein Barriereelement (16) aufweist, das mit seinem festen Rand an der vom Gehäuse (1) gebildeten Wand des zweiten Gasaustrittskanals (10) befestigt ist und dessen freier Rand von der gegenüberliegenden, vom Quellengehäuse (2) gebildeten Wand des zweiten Gasaustrittskanals (10) beabstandet ist. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the back diffusion barrier (11) has at least one barrier element (12, 14) fixed with a fixed edge to a wall of the second gas outlet channel (10) formed by the source housing (2) and a having a free edge which is spaced from the opposite, from the housing (1) formed wall of the second gas outlet channel (10), and at least one barrier element (16), with its fixed edge on the housing (1) formed wall of the second Gas outlet channel (10) is fixed and the free edge of the opposite, from the source housing (2) formed wall of the second gas outlet channel (10) is spaced.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereelemente (12, 14, 16) flache, ringförmige Körper sind, die in Strömungsrichtung des zweiten Gasstroms (9) abwechselnd an einer vom Quellengehäuse (2) ausgebildeten Innenwand des zweiten Gasaustrittskanals (10) oder an einer vom Gehäuse (1) ausgebildeten Außenwandung des zweiten Gasaustrittskanals (10) angeordnet sind. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein erster Abstand der Gasdurchtrittsöffnungen (13, 15) eines gasdurchlässigen Barriereelementes (12, 14) vom freien Rand des Barriereelementes (12, 14) größer ist als ein zweiter Abstand des freien Randes eines gasundurchlässigen Barriereelementes (16) zu seinem festen Rand und die Summe aus dem zweiten Abstand und einem dritten Abstand des freien Randes des gasdurchlässigen Barriereelementes (12, 14) von seinem festen Rand größer ist als ein maximal möglicher Abstand der beiden die Barriereelemente (12, 14, 16) haltenden Wandabschnitte des zweiten Gasaustrittskanals (10). Device according to one of claims 2 to 6, characterized in that the barrier elements (12, 14, 16) are flat, annular body, in the flow direction of the second gas stream (9) alternately formed on one of the source housing (2) inner wall of the second gas outlet channel (10) or on one of the housing (1) formed outer wall of the second gas outlet channel (10) are arranged. Device according to one of claims 5 to 7, characterized in that a first distance of the gas passage openings (13, 15) of a gas-permeable barrier element (12, 14) from the free edge of the barrier element (12, 14) is greater than a second distance of the free edge a gas-impermeable barrier element (16) to its fixed edge and the sum of the second distance and a third distance of the free edge of the gas-permeable barrier element (12, 14) from its fixed edge is greater than a maximum possible distance of the two the barrier elements (12, 14, 16) holding wall sections of the second gas outlet channel (10).
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aus mehreren Barriereelementen (12, 14, 16) bestehende Rückdiffusionsbarriere (11) an einem freien stromabwärtigen Ende eines an einem Deckel (18) des Gehäuses (1) befestigten Quellengehäuse (2) angeordnet ist, dessen Stirnseite (19) in Vertikalrichtung von einer Stufe (20) beabstandet ist, so dass Gasdurchtrittsöffnungen (13) der Diffusionsbarriere (11) in einen Spaltraum (17) münden. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the rear diffusion barrier (11) consisting of a plurality of barrier elements (12, 14, 16) is arranged at a free downstream end of a source housing (2) fastened to a cover (18) of the housing (1) is, whose end face (19) in the vertical direction of a step (20) is spaced, so that gas passage openings (13) of the diffusion barrier (11) open into a gap space (17).
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der freie Gasdurchtrittsquerschnitt der Diffusionsbarriere bei einer Verlagerung der Barriereelemente (12) gegeneinander unverändert bleibt. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the free gas passage cross section of the diffusion barrier remains unchanged with a displacement of the barrier elements (12).
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfungseinrichtung (3, 3', 3") auf eine Temperatur (Tl) aufheizbar ist, die größer ist als eine Temperatur (T2) des Gehäuses (1). Device according to one of the preceding claims, characterized in that the evaporation device (3, 3 ', 3 ") can be heated to a temperature (Tl) which is greater than a temperature (T2) of the housing (1).
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfungseinrichtung (3, 3', 3") von offenporigen Festschaumkörpern gebildet ist, die durch Hindurchleiten eines elektrischen Stromes auf eine erhöhte Temperatur (Tl) aufheizbar sind. 12. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the evaporation device (3, 3 ', 3 ") is formed by open-cell solid foam bodies, which can be heated by passing an electric current to an elevated temperature (Tl).
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung Teil einer CVD- oder PVD- Einrichtung ist, die eine Prozesskammer aufweist, in welche die Transportleitung (7) mündet und in welcher ein Substrat beschichtet wird. 13. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the device is part of a CVD or PVD device having a process chamber into which the transport line (7) opens and in which a substrate is coated.
14. Vorrichtung, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche. 14. Device, characterized by one or more of the characterizing features of one of the preceding claims.
PCT/EP2017/050362 2016-01-15 2017-01-10 Device for providing a process gas in a coating device WO2017121704A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020187023579A KR20180102168A (en) 2016-01-15 2017-01-10 Apparatus for supplying process gas in a coating apparatus
CN201780013619.8A CN108699689B (en) 2016-01-15 2017-01-10 Device for producing process gas in a coating installation

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016100625.4A DE102016100625A1 (en) 2016-01-15 2016-01-15 Device for providing a process gas in a coating device
DE102016100625.4 2016-01-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017121704A1 true WO2017121704A1 (en) 2017-07-20

Family

ID=57860826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2017/050362 WO2017121704A1 (en) 2016-01-15 2017-01-10 Device for providing a process gas in a coating device

Country Status (5)

Country Link
KR (1) KR20180102168A (en)
CN (1) CN108699689B (en)
DE (1) DE102016100625A1 (en)
TW (1) TWI706050B (en)
WO (1) WO2017121704A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021209502A1 (en) * 2020-04-17 2021-10-21 Apeva Se Powder doser for an aerosol generator

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109778145B (en) * 2019-03-26 2020-09-15 信阳师范学院 CVD equipment gas supply device for producing solar cell and gas supply method thereof

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769296A (en) 1986-11-25 1988-09-06 Basf Aktiengesellschaft Batteries comprising high energy and power density methanol/air fuel cells
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JP2000058528A (en) * 1998-08-06 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp Method and device for vaporizing liquid starting material for cvd and cvd device using the same
US20020088547A1 (en) * 1994-04-20 2002-07-11 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2003218042A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Sony Corp Method of supplying gas, method and device for preventing back diffusion of gas, operating valve with reverse gas diffusion preventing mechanism, vaporizer with reverse gas diffusion preventing mechanism, method and device for vaporizing and supplying liquid material, method of supplying gas for semiconductor manufacturing device, and semiconductor manufacturing apparatus
US20100012036A1 (en) 2008-07-11 2010-01-21 Hugo Silva Isolation for multi-single-wafer processing apparatus
US20100206231A1 (en) 2007-09-04 2010-08-19 Eugene Technology Co., Ltd. Exhaust unit, exhaust method using the exhaust unit, and substrate processing apparatus including the exhaust unit
WO2012175128A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition system and supply head
DE102011051260A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing OLEDs
WO2012175124A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition material source and method for making same
DE102011051261A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and apparatus for depositing OLEDs in particular evaporation device to it
EP2819150A2 (en) 2012-04-18 2014-12-31 Tokyo Electron Limited Deposit removing method and gas processing apparatus
DE102014109196A1 (en) 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Apparatus for generating a vapor from a solid or liquid source for a CVD or PVD device
DE102014115497A1 (en) 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Tempered gas supply with diluent gas streams fed in at several points

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391147B2 (en) * 1994-04-28 2002-05-21 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JPH08823A (en) 1994-06-24 1996-01-09 Taito Corp Premium carrying device
US6352592B1 (en) * 1998-01-16 2002-03-05 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Free floating shield and semiconductor processing system
JP4877748B2 (en) * 2006-03-31 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and processing gas discharge mechanism
KR101711502B1 (en) 2011-06-22 2017-03-02 아익스트론 에스이 Method and apparatus for vapor deposition
FR3002242B1 (en) * 2013-02-21 2015-04-03 Altatech Semiconductor CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769296A (en) 1986-11-25 1988-09-06 Basf Aktiengesellschaft Batteries comprising high energy and power density methanol/air fuel cells
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US20020088547A1 (en) * 1994-04-20 2002-07-11 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method and apparatus
JP2000058528A (en) * 1998-08-06 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp Method and device for vaporizing liquid starting material for cvd and cvd device using the same
JP2003218042A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Sony Corp Method of supplying gas, method and device for preventing back diffusion of gas, operating valve with reverse gas diffusion preventing mechanism, vaporizer with reverse gas diffusion preventing mechanism, method and device for vaporizing and supplying liquid material, method of supplying gas for semiconductor manufacturing device, and semiconductor manufacturing apparatus
US20100206231A1 (en) 2007-09-04 2010-08-19 Eugene Technology Co., Ltd. Exhaust unit, exhaust method using the exhaust unit, and substrate processing apparatus including the exhaust unit
US20100012036A1 (en) 2008-07-11 2010-01-21 Hugo Silva Isolation for multi-single-wafer processing apparatus
WO2012175128A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition system and supply head
DE102011051260A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and device for depositing OLEDs
WO2012175124A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Vapor deposition material source and method for making same
DE102011051261A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Method and apparatus for depositing OLEDs in particular evaporation device to it
EP2819150A2 (en) 2012-04-18 2014-12-31 Tokyo Electron Limited Deposit removing method and gas processing apparatus
DE102014109196A1 (en) 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Apparatus for generating a vapor from a solid or liquid source for a CVD or PVD device
DE102014115497A1 (en) 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Tempered gas supply with diluent gas streams fed in at several points

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021209502A1 (en) * 2020-04-17 2021-10-21 Apeva Se Powder doser for an aerosol generator

Also Published As

Publication number Publication date
TWI706050B (en) 2020-10-01
KR20180102168A (en) 2018-09-14
DE102016100625A1 (en) 2017-07-20
TW201734257A (en) 2017-10-01
CN108699689A (en) 2018-10-23
CN108699689B (en) 2021-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2963147B1 (en) Device for generating a vapour from a solid or liquid starting material for a cvd or pvd device
DE60201383T2 (en) Metering tube for gas delivery
DE69629980T2 (en) Temperature control method for depositing a material
EP1349968B1 (en) Liquid distribution unit for multiple fluids
DE102009043840A1 (en) CVD reactor with strip-like gas inlet zones and method for depositing a layer on a substrate in such a CVD reactor
DE102008036642A1 (en) Spray head and CVD apparatus having this
DE102014106523A1 (en) Apparatus and method for supplying a CVD or PVD coating device with a process gas mixture
EP1756851A1 (en) Media injector
AT407995B (en) DEVICE FOR VACUUM COATING OF SLIDING BEARINGS
WO2016000944A1 (en) Device and method for generating vapor for a cvd- or pvd device from multiple liquid or solid source materials
WO2017121704A1 (en) Device for providing a process gas in a coating device
DE102008026001A1 (en) Method and device for producing and processing layers on substrates under a defined process atmosphere
DE2917841A1 (en) EVAPORATOR FOR VACUUM EVAPORATION SYSTEMS
DE69817721T2 (en) Processing chamber for plasma treatment and device using this processing chamber
EP3129524B1 (en) Device for depositing nanotubes
DE102016122072A1 (en) Apparatus and method for adjusting the uniformity of gas flow in a CVD or ALD reactor or a layer deposited therein
DE102006013801A1 (en) Device for deposition of layer on substrate, comprises reactor housing, base, process chamber, quartz gas discharge plate, gas discharge openings, broad sidewall, gas inlet device, and gas passage openings
EP0282540A1 (en) Process and device for metallizing foil surfaces.
DE102010036332B4 (en) Process for coating electrodes for electrolysis by means of an arc
EP3224385B1 (en) Device for depositing a layer on a substrate
DE102012111484A1 (en) Apparatus and method for processing strip-shaped substrates
DE102018114819A1 (en) Process for coating a substrate and coating system
DE19756162C2 (en) Sputtering device
DE102021103368A1 (en) CVD reactor with a temperature control ring surrounding a gas inlet element
WO2019048367A1 (en) Device for depositing a structured layer on a substrate with use of a mask

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17700915

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187023579

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020187023579

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17700915

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1